[PDF] SJ/T 11399-2009 - 英文版
| 标准号码 | 美元 | 购买PDF | 工期 | 标准名称(英文版) |
| SJ/T 11399-2009 | 319 | SJ/T 11399-2009 | <=3 | 半导体发光二极管芯片测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | SJ/T 11399-2009 (SJ/T11399-2009) |
| 中文名称 | 半导体发光二极管芯片测试方法 |
| 英文名称 | Measurement methods for chips of light emitting diodes |
| 行业 | 电子行业标准 (推荐) |
| 中标分类 | L45 |
| 国际标准分类 | 31.260 |
| 字数估计 | 12,170 |
| 发布日期 | 2009-11-17 |
| 实施日期 | 2010-01-01 |
| 引用标准 | GB/T 5698-2001; GB/T 11499-2001; GB/T 15651-1995; SJ/T 11394-2009 |
| 标准依据 | 工科(2009)第62号;行业标准备案公告2010年第1号(总第121号) |
| 发布机构 | 工业和信息化部 |
| 范围 | 本标准规定了半导体发光二极管芯片(以下简称芯片)的辐射度学、光度学、色度学、电学、热学、参数以及电磁兼容性的测试方法。本标准适用于可见光半导体发光二极管芯片。紫外光和红外光发光二极管芯片以及外延片的测试可参考执行。 |
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