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GB/T 10117-2021

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GB/T 10117-2021 英文版 159 GB/T 10117-2021 有增值税发票,[PDF]天数 <=3 高纯锑 GB/T 10117-2021 有效

   
基本信息
标准编号 GB/T 10117-2021 (GB/T10117-2021)
中文名称 高纯锑
英文名称 High purity antimonium
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 H62
国际标准分类 77.150.99
字数估计 7,790
发布日期 2021-12-31
实施日期 2022-07-01
旧标准 (被替代) GB/T 10117-2009
起草单位 峨眉山市峨半高纯材料有限公司
归口单位 全国半导体设备和材料标准化技术委员会
标准依据 国家标准公告2021年第17号
提出机构 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC 203/SC 2)
发布机构 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

GB/T 10117-2021
High purity antimonium
ICS 77.150.99
CCSH62
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 10117-2009
高 纯 锑
2021-12-31发布
2022-07-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB/T 10117-2009《高纯锑》,与GB/T 10117-2009相比,除结构调整和编辑性改动
外,主要技术变化如下:
a) 更改了适用范围(见第1章,2009年版的第1章);
b) 更改了化学成分中杂质元素As、Au、Pb的要求,增加了B、Na、Al、Ca、Ga、Sn杂质含量的要求
(见5.1,2009年版的3.2);
c) 增加了关于Sb含量、杂质含量总和的说明(见表1);
d) 更改了外观质量的要求(见5.2,2009年版的3.3);
e) 更改了试验方法的内容(见第6章,2009年版的第4章);
f) 更改了检查和验收的内容(见7.1,2009年版的5.1);
g) 更改了组批的规定(见7.2,2009年版的5.2);
h) 增加了检验项目的内容(见7.3);
i) 更改了取样、制样的要求(见7.4,2009年版的5.3);
j) 增加了化学成分检验结果数值修约与判定的要求(见7.5.1);
k) 更改了外观质量的检验结果判定(见7.5.3,2009年版的5.4);
l) 更改了标志的内容(见8.1,2009年版的6.2);
m) 删除了具体包装规格的要求(见2009年版的6.1.1);
n) 删除了说明事项(见2009年版的6.5);
o) 更改了随行文件的内容(见8.5,2009年版的6.6)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:峨眉山市峨半高纯材料有限公司、峨嵋半导体材料研究所、广东先导稀材股份有
限公司、有研国晶辉新材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、江苏秦烯新材料有限公司。
本文件主要起草人:张程、朱君、黎亚文、雷聪、曾洪、肖伟微、李强、张胜、乐卫华、黄文文、柴晨、
普世坤、何建军。
本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为:
---1988年首次发布为GB/T 10117-1988,2009年第一次修订;
---本次为第二次修订。
高 纯 锑
1 范围
本文件规定了高纯锑的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件及订
货单内容。
本文件适用于以工业锑为原料,经氯化、精馏、氢气还原、真空蒸馏、区域熔炼或直拉提纯生产工艺
制备的高纯锑。
注:高纯锑主要用于制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、高纯合金、热电致冷元件,以及用作硅、锗单晶的掺杂剂。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T 8170 数值修约规则与极限数值的表示和判定
YS/T 35 高纯锑化学分析方法 镁、锌、镍、铜、银、镉、铁、硫、砷、金、锰、铅、铋、硅、硒含量的测
定 高质量分辨率辉光放电质谱法
3 术语和定义
本文件没有需要界定的术语和定义。
4 分类
高纯锑按照化学成分分为Sb-05、Sb-06两个牌号。 ......
   
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