路径: 主页 > GB/T > 第393页 > GB/T 11094-2020 | 标准编号 | GB/T 11094-2020 (GB/T11094-2020) | | 中文名称 | 水平法砷化镓单晶及切割片 | | 英文名称 | Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 11,146 | | 发布日期 | 2020-09-29 | | 实施日期 | 2021-08-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 11094-2007 | | 标准依据 | 国家标准公告2020年第20号 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 11094-2020
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
ICS 29.045
H83
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 11094-2007
水平法砷化镓单晶及切割片
bridgmanmethod
2020-09-29发布
2021-08-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 11094-2007《水平法砷化镓单晶及切割片》。与GB/T 11094-2007相比,除编
辑性修改外,主要技术变化如下:
---删除了范围中的单晶锭及微波器件(见2007年版的第1章);
---删除了规范性引用文件中的GJB1927,增加了GB/T 13388、GB/T 14844(见第2章,2007年
版的第2章);
---删除了术语和定义中的3.1~3.8(见2007年版的第3章);
---修改了产品的牌号表示方法及分类(见第4章,2007年版的第4章);
---修改了砷化镓单晶生长方向中的偏转角度(见5.1.1,2007年版的4.3.1);
---删除了半绝缘砷化镓单晶的要求及试验方法(见2007年版的4.3.2、4.4.3、5.1);
---删除n型非掺杂砷化镓单晶的要求(见2007年版的4.3.2);
---修改了p型掺锌砷化镓单晶的载流子浓度范围(见5.1.2,2007年版的4.3.2);
---修改了位错密度的分级及要求(见5.1.3,2007年版的4.3.3);
---增加了直径82.0mm砷化镓切割片及对应砷化镓单晶的要求(见5.1.4.2、5.2);
---晶锭高度误差不大于4mm改为单晶厚度变化应不大于2mm(见5.1.4.2,2007年版的4.4.1);
---增加了关于砷化镓切割片电学性能、位错密度的说明(见5.2.1);
---修改了砷化镓切割片厚度的要求(见5.2.3,2007年版的4.5.1);
---修改了砷化镓切割片晶向偏离的要求(见5.2.4,2007年版的4.5.2);
---修改了砷化镓单晶及切割片的试验方法(见第6章,2007年版的第5章);
---修改了砷化镓单晶及切割片的检验规则相关内容(见第7章,2007年版的第6章)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:有研光电新材料有限责任公司、有色金属技术经济研究院、广东先导先进材料股
份有限公司、北京聚睿众邦科技有限公司、雅波拓(福建)新材料有限公司。
本标准主要起草人:于洪国、林泉、马英俊、赵敬平、李素青、马远飞、李万朋、许所成、权盼、朱刘、
周铁军、闫方亮、杨丽霞、付萍。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 11094-1989、GB/T 11094-2007。
水平法砷化镓单晶及切割片
1 范围
本标准规定了水平法砷化镓单晶(以下简称砷化镓单晶)及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、
检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样
计划
GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 8760 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 牌号及分类
4.1 牌号
砷化镓单晶及切割片的牌号按照GB/T 14844的规定进行表示。如有特殊要求,由供需双方协商
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