路径: 主页 > GB/T > 第204页 > GB/T 11297.6-1989 | 标准编号 | GB/T 11297.6-1989 (GB/T11297.6-1989) | | 中文名称 | 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 | | 英文名称 | Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L90 | | 国际标准分类 | 29.040.01 | | 字数估计 | 3,395 | | 发布日期 | 3/31/1989 | | 实施日期 | 1/1/1990 | | 范围 | 本标准适用于锑化铟原始晶片(111)铟面α位错的显示和测定。测量面偏离(111)面应不大于3°。 | ......
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