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GB/T 11297.6-1989 相关标准英文版PDF

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GB/T 11297.6-1989 英文版 139 GB/T 11297.6-1989 [PDF]天数 <=2 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 GB/T 11297.6-1989
基本信息
标准编号 GB/T 11297.6-1989 (GB/T11297.6-1989)
中文名称 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
英文名称 Standard method for showing and measuring dislocation etch pits in Indium Antimonide single crystal
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 L90
国际标准分类 29.040.01
字数估计 3,395
发布日期 3/31/1989
实施日期 1/1/1990
范围 本标准适用于锑化铟原始晶片(111)铟面α位错的显示和测定。测量面偏离(111)面应不大于3°。

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英文网页English: GB/T 11297.6-1989

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