标准搜索结果: 'GB/T 12962-2015'
| 标准编号 | GB/T 12962-2015 (GB/T12962-2015) | | 中文名称 | 硅单晶 | | 英文名称 | Monocrystalline silicon | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 11,189 | | 发布日期 | 2015-12-10 | | 实施日期 | 2017-01-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 12962-2005 | | 起草单位 | 有研新材料股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江中晶科技股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、广东泰卓光电科技股份有限公司 | | 归口单位 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) | | 标准依据 | 国家标准公告2015年第38号 | | 提出机构 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2)共同 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 12962-2015
Monocrystalline silicon
ICS 29.045
H82
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 12962-2005
硅 单 晶
2015-12-10发布
2017-01-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 12962-2005《硅单晶》。本标准与GB/T 12962-2005相比,主要变化如下:
---增加了直径小于或等于50.8mm直拉硅单晶及要求(见5.1.1);
---增加了直径200mm区熔硅单晶及要求(见5.1.1);
---增加了对直拉硅单晶的载流子寿命要求(见5.2.1);
---修订了n型区熔高阻硅单晶电阻率范围的要求(见5.2.1);
---增加了掺杂比为F5 的中子嬗变掺杂硅单晶的要求(见5.2.1);
---修订了掺杂比为 F10的中子嬗变掺杂硅单晶的径向电阻率变化及少数载流子寿命要求
(见5.2.1);
---修订了气相掺杂区熔硅单晶的直径、电阻率及少数载流子寿命等要求(见5.2.1);
---“金属含量”要求中删除了“重掺杂直拉硅单晶的基硼、基磷含量由供需双方商定提供”内容(见
5.8);
---取样由文字描述改为表6;
---增加了订货单内容(见第9章)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:有研新材料股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江中晶科技
股份有限公司、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、万向硅峰电子股份有限公司、浙
江金瑞泓科技股份有限公司、上海合晶硅材料有限公司、中国有色金属工业标准计量质量研究所、广东
泰卓光电科技股份有限公司。
本标准主要起草人:孙燕、张果虎、张雪囡、黄笑容、楼春兰、王飞尧、朱兴萍、何良恩、徐新华、
杨素心、由佰玲、李丽妍。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 12962-1991、GB/T 12962-1996、GB/T 12962-2005。
硅 单 晶
1 范围
本标准规定了硅单晶的牌号及分类、要求、检验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书
和订货单(或合同)内容等。
本标准适用于直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200mm的
硅单晶。产品主要用于制作半导体元器件。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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