标准搜索结果: 'GB/T 12965-2018'
| 标准编号 | GB/T 12965-2018 (GB/T12965-2018) | | 中文名称 | 硅单晶切割片和研磨片 | | 英文名称 | Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 10,12 | | 发布日期 | 2018-09-17 | | 实施日期 | 2019-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 12965-2005 | | 起草单位 | 有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司、上海合晶硅材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江省硅材料质量检验中心 | | 归口单位 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) | | 标准依据 | 国家标准公告2018年第11号 | | 提出机构 | 全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC 203)、全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会(SAC/TC 203/SC 2) | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 12965-2018
Monocrystalline silicon as cut wafers and lapped wafers
ICS 29.045
H82
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 12965-2005
硅单晶切割片和研磨片
2018-09-17发布
2019-06-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 12965-2005《硅单晶切割片和研磨片》,与GB/T 12965-2005相比,除编辑性
修改外主要技术内容变化如下:
---范围中将“本标准适用于由直拉、悬浮区熔和中子嬗变掺杂硅单晶经切割、双面研磨制备的圆
形硅片”改为“本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直
径不大于200mm的圆形硅单晶切割片和研磨片”(见第1章,2005年版的第1章);
---规范性引用文件中删除了 GB/T 1552、GB/T 1554、GB/T 12964,增加了 GB/T 1551、
GB/T 6619、GB/T 26067、GB/T 29507、GB/T 32279、GB/T 32280、YS/T 28(见第2章,2005
年版的第2章);
---删除了具体术语内容,改为“GB/T 14264界定的术语及定义适用于本文件”(见第3章,2005
年版的第3章);
---删除了按照硅单晶生长方法进行的分类,增加了“硅片按表面取向分为常用的{100}、{111}、
{110}三种”(见4.2.2,2005年版的4.1);
---将“物理性能参数”和“晶体完整性”合并改为“理化性能”(见5.1,2005年版的5.1、5.3);
---增加了“电学性能”(见5.2);
---修订了50.8mm、125mm、150mm 硅片的直径允许偏差,修订了100mm、125mm、150mm
直径切割片的厚度,修订了150mm和200mm直径硅片的翘曲度要求(见表1,2005年版的
表1);
---增加了硅片弯曲度的要求(见5.3表1);
---增加了主参考面直径和切口尺寸示意图(见图1);
---修订硅片的表面取向为“硅片的表面取向有{100}、{110}、{111},常用的为{100}、{111}”(见
5.4.1,2005年版的5.4.1);
---增加了“未包含的其他晶向要求,由供需双方协商确定”(5.4.3);
---删除了“硅片是否制作参考面,由用户决定”和“硅片主、副参考面取向及位置应符合表2及
表1的规定”(见2005年版的5.4.3、5.4.4);
---增加了直径不大于150mm硅片主、副参考面位置的示意图(见图2);
---修订了边缘轮廓的要求(见5.6,2005年版的5.7);
---删除了硅片每个崩边的周长不大于2mm 的规定,经倒角的研磨片对崩边的要求由“≤
0.3mm”修订为“无”,并将崩边径向延伸尺寸的要求单列为表4(见5.7.1表4,2005年版的
5.6.1);
---增加了电阻率、厚度和总厚度变化、翘曲度的另一种实验方法,并明确了仲裁方法(见6.2、6.5、
6.7,2005年版的6.2、6.11、6.12);
---修订了硅片主参考面直径的测量方法(见6.8,2005年版的6.7);
---“硅片切口尺寸的测量由供需双方确定”修订为“切口尺寸的测量按GB/T 26067的规定进行”
(见6.9,2005年版的6.8);
---修订了检验项目,改为必检项目和供需双方协商检验的项目(见7.3.1、7.3.2,2005年版的7.3);
---删除了破坏性检验项目的取样规定(见2005年版的7.4.2);
---增加了订货单(或合同)内容(见第9章)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料有限公司、浙江海纳半导体有限公司、上海合晶硅材料有限公司、
浙江金瑞泓科技股份有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、浙江省硅材料质量检验中心。
本标准主要起草人:孙燕、卢立延、楼春兰、徐新华、张海英、张雪囡、潘金平、刘卓。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 12965-1991、GB/T 12965-1996、GB/T 12965-2005。
硅单晶切割片和研磨片
1 范围
本标准规定了硅单晶切割片和研磨片(简称硅片)的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、
包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于由直拉法、悬浮区熔法(包括中子嬗变掺杂和气相掺杂)制备的直径不大于200mm
的圆形硅单晶切割片和研磨片。产品主要用于制作晶体管、整流器件等,或进一步加工成抛光片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1-2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样
计划
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法
GB/T 11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 12962 硅单晶
GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
GB/T 14140 硅片直径测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14844 半导体材......
|