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[PDF] GB/T 13178-2008 - 英文版

标准号码	内文	价格美元	第2步(购买)	交付天数	标准名称	状态
GB/T 13178-2008	英文版	259	GB/T 13178-2008	[PDF]天数 >=3	金硅面垒型探测器	有效

基本信息
标准编号	GB/T 13178-2008 (GB/T13178-2008)
中文名称	金硅面垒型探测器
英文名称	Partially depleted gold silicon surface barrier detectors
行业	国家标准 (推荐)
中标分类	F88
国际标准分类	27.120
字数估计	11,176
发布日期	2008-07-02
实施日期	2009-04-01
旧标准 (被替代)	GB/T 13178-1991
引用标准	GB/T 5201; GB/T 10257-2001
采用标准	IEC 60333-1993, NEQ
标准依据	国家标准批准发布公告2008年第11号(总第124号)
发布机构	中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会
范围	本标准规定了部分耗尽金硅面垒型探测器(简称探测器)的产品分类、技术要求、测试方法、检验规则等。本标准适用于部分耗尽金硅面垒型探测器(不包括位置灵敏探测器)。锂漂移金硅面垒型探测器也可参照执行。

GB/T 13178-2008 Partially depleted gold silicon surface barrier detectors ICS ２７．１２０ F８８中华人民共和国国家标准 GB/T １３１７８-２００８代替GB/T １３１７８-１９９１金硅面垒型探测器２００８-０７-０２发布２００９-０４-０１实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布前言本标准参考了IEC ６０３３３：１９９３《核仪器　半导体带电粒子探测器　测试程序》。本标准代替GB/T １３１７８-１９９１《金硅面垒型探测器》（以下简称原标准）。本标准保留GB/T １３１７８-１９９１的大部分内容，对其的主要修改如下： ---增加前言； ---引用新的规范性文件； ---产品的外形及结构尺寸仅保留Ａ型，删去原标准的Ｂ型和Ｃ型； ---部分耗尽金硅面垒型探测器的分类仅保留最小耗尽层深度为３００μｍ一类，而主要性能增加 “允许最大噪声”。本标准由中国核工业集团公司提出。本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会归口。本标准起草单位：中核（北京）核仪器厂。本标准主要起草人：李志勇。本标准所代替标准的历次版本发布情况为：GB/T １３１７８-１９９１。 GB/T １３１７８-２００８金硅面垒型探测器１　范围本标准规定了部分耗尽金硅面垒型探测器（简称探测器）的产品分类、技术要求、测试方法、检验规则等。本标准适用于部分耗尽金硅面垒型探测器（不包括位置灵敏探测器）。锂漂移金硅面垒型探测器也可参照执行。２　规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 GB/T ５２０１　带电粒子半导体探测器测试方法（GB/T ５２０１-１９９４，ｎｅｑIEC ６０３３３：１９９３） GB/T １０２５７-２００１　核仪器和核辐射探测器质量检验规则３　术语和定义以及符号３．１　术语和定义下列术语和定义适用于本标准。３．１．１由表面上的反型层产生的结形成势垒的半导体探测器。３．１．２半导体探测器中对辐射灵敏的那一层半导体材料，粒子在其中损耗的能量可转换成电信号。３．１．３耗尽层深度小于半导体材料基片的厚度。３．１．４探测器中辐射最易进入耗尽层的那部分表面。３．１．５在谱线中，由单峰构成的分布曲线上，峰值一半处两点间横......

英文网页English: GB/T 13178-2008

相关标准: GB/T 13286 | GB/T 45608 | GB/T 13180 | GB/T 13179 |