搜索结果: GB/T 13178-2008, GB/T13178-2008, GBT 13178-2008, GBT13178-2008
| 标准编号 | GB/T 13178-2008 (GB/T13178-2008) | | 中文名称 | 金硅面垒型探测器 | | 英文名称 | Partially depleted gold silicon surface barrier detectors | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | F88 | | 国际标准分类 | 27.120 | | 字数估计 | 11,176 | | 发布日期 | 2008-07-02 | | 实施日期 | 2009-04-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 13178-1991 | | 引用标准 | GB/T 5201; GB/T 10257-2001 | | 采用标准 | IEC 60333-1993, NEQ | | 标准依据 | 国家标准批准发布公告2008年第11号(总第124号) | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了部分耗尽金硅面垒型探测器(简称探测器)的产品分类、技术要求、测试方法、检验规则等。本标准适用于部分耗尽金硅面垒型探测器(不包括位置灵敏探测器)。锂漂移金硅面垒型探测器也可参照执行。 | GB/T 13178-2008
Partially depleted gold silicon surface barrier detectors
ICS ２７．１２０
F８８
中华人民共和国国家标准
GB/T １３１７８-２００８
代替GB/T １３１７８-１９９１
金硅面垒型探测器
２００８-０７-０２发布
２００９-０４-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准参考了IEC ６０３３３：１９９３《核仪器 半导体带电粒子探测器 测试程序》。
本标准代替GB/T １３１７８-１９９１《金硅面垒型探测器》（以下简称原标准）。
本标准保留GB/T １３１７８-１９９１的大部分内容，对其的主要修改如下：
---增加前言；
---引用新的规范性文件；
---产品的外形及结构尺寸仅保留Ａ型，删去原标准的Ｂ型和Ｃ型；
---部分耗尽金硅面垒型探测器的分类仅保留最小耗尽层深度为３００μｍ一类，而主要性能增加
“允许最大噪声”。
本标准由中国核工业集团公司提出。
本标准由全国核仪器仪表标准化技术委员会归口。
本标准起草单位：中核（北京）核仪器厂。
本标准主要起草人：李志勇。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：GB/T １３１７８-１９９１。
GB/T １３１７８-２００８
金硅面垒型探测器
１ 范围
本标准规定了部分耗尽金硅面垒型探测器（简称探测器）的产品分类、技术要求、测试方法、检验规
则等。
本标准适用于部分耗尽金硅面垒型探测器（不包括位置灵敏探测器）。锂漂移金硅面垒型探测器也
可参照执行。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T ５２０１ 带电粒子半导体探测器测试方法（GB/T ５２０１-１９９４，ｎｅｑIEC ６０３３３：１９９３）
GB/T １０２５７-２００１ 核仪器和核辐射探测器质量检验规则
３ 术语和定义以及符号
３．１ 术语和定义
下列术语和定义适用于本标准。
３．１．１
由表面上的反型层产生的结形成势垒的半导体探测器。
３．１．２
半导体探测器中对辐射灵敏的那一层半导体材料，粒子在其中损耗的能量可转换成电信号。
３．１．３
耗尽层深度小于半导体材料基片的厚度。
３．１．４
探测器中辐射最易进入耗尽层的那部分表面。
３．１．５
在谱线中，由单峰构成的分布曲线上，峰值一半处两点间横......
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