路径: 主页 > GB/T > 第203页 > GB/T 14619-2013 | 标准编号 | GB/T 14619-2013 (GB/T14619-2013) | | 中文名称 | 厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 | | 英文名称 | Alumina ceramic substrates for thick film integrated circuits | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L90 | | 国际标准分类 | 31.030 | | 字数估计 | 15,185 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 14619-1993 | | 引用标准 | GB/T 1958; GB/T 2413; GB/T 2828.1; GB/T 2829; GB/T 5593; GB/T 5594.3; GB/T 5594.4; GB/T 5594.5; GB/T 5594.7; GB/T 5598; GB/T 6062; GB/T 6569; GB/T 6900; GB/T 9531.1-1988; GB/T 16534-2009; GJB 548B-2005; GJB 1201.1-1991 | | 标准依据 | 国家标准公告2013年第22号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和贮存。本标准适用于厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的生产和采购, 采用厚膜工艺的片式元件用氧化铝陶瓷基片(以下简称基片)也可参照使用。 | GB/T 14619-2013
Alumina ceramic substrates for thick film integrated circuits
ICS 31.030
L90
中华人民共和国国家标准
代替 GB/T 14619-1993
厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
2013-11-12发布
2014-04-15实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准替代GB/T 14619-1993《厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片》,与GB/T 14619-1993相比主
要的技术变化如下:
---增加了术语和产品标识(见第3章和第4章);
---增加了对采用标称氧化铝含量表示基片类型时,实际氧化铝含量值的要求(见4.3);
---增加了凹坑的直径(见表1);
---增加了非96%氧化铝瓷的分类,并给出了指标(见表5);
---增加了孔的要求(见5.2.2);
---细化了划线后基片尺寸指标的要求(见5.2.3);
---对基片翘曲度的测试进行了详细说明(见附录A)。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由中国电子技术标准化研究院归口。
本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:曹易、李晓英。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 14619-1993。
厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片
1 范围
本标准规定了厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的要求、测试方法、检验规则、标志、包装、运输和
贮存。
本标准适用于厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片的生产和采购,采用厚膜工艺的片式元件用氧化铝
陶瓷基片(以下简称基片)也可参照使用。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
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GB/T 5593 电子元器件结构陶瓷材料
GB/T 5594.3 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 平均线膨胀系数测试方法
GB/T 5594.4 电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 介电常数和介质损耗角正切值的测试
方法
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