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| 标准编号 | GB/T 14844-2018 (GB/T14844-2018) | | 中文名称 | 半导体材料牌号表示方法 | | 英文名称 | Designations of semiconductor materials | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 10,193 | | 发布日期 | 2018-12-28 | | 实施日期 | 2019-11-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 14844-1993 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 14844-2018
Designations of semiconductor materials
ICS 29.045
H80
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 14844-1993
半导体材料牌号表示方法
2018-12-28发布
2019-11-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 14844-1993《半导体材料牌号表示方法》,与GB/T 14844-1993相比主要技术
变化如下:
---修改了范围中本标准适用性的描述(见第1章,1993年版的第1章);
---将原3.1.1中生产方法和用途分成两项,并对牌号表示方法排序进行调整,名称为第一项,生
产方法为第二项(见3.1.1,1993年版的3.1);
---删除了多晶生产方法中的“铸造法”,增加了“T表示三氯氢硅法”、“S表示硅烷法”、“F流化床
法”和“其他生产方法表示形式参照以上方法进行”(见3.1.3,1993年版的3.1.1);
---修改了 “N表示块状”为“C表示块状”,并增加了“G表示颗粒状”和“其他多晶形状表示形式
参照以上方法进行”(见3.1.4,1993年版的3.1.3);
---增加了“E表示电子级用途”和“S表示太阳能级用途”(见3.1.6);
---调整了单晶牌号表示方法排序(见3.2.1,1993年版的3.2);
---增加了示例“如硅单晶Si、砷化镓单晶GaAs、碳化硅单晶SiC、锗单晶Ge、锑化铟单晶InSb、磷
化镓单晶GaP和磷化铟单晶InP等”(见3.2.2);
---增加了“C表示铸锭法”(见3.2.3);
---增加了导电类型示例“例如N型导电类型掺杂元素有磷P、锑Sb、砷As,P型导电类型掺杂元
素有硼B,区熔气相掺杂用FGD表示等”(见3.2.4);
---增加了示例“例如晶向< 111 >、< 100 >和< 110 >等”(见3.2.5);
---增加了示例“如硅片Si、砷化镓片GaAs、碳化硅片SiC、锗片Ge、锑化铟片InSb、磷化镓片GaP
和磷化铟片InP等”(见3.3.2);
---增加了“SCW表示太阳能切割片”(见3.3.4);
---调整了外延片牌号表示方法排序(见3.4.1,1993年版的3.4);
---增加了示例“如硅外延片Si、砷化镓外延片GaAs、碳化硅外延片SiC、锗外延片Ge、锑化铟外
延片InSb、磷化镓外延片GaP和磷化铟外延片InP等”(见3.4.2);
---增加了牌号中字母表示方法(见附录A)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:浙江省硅材料质量检验中心、有色金属技术经济研究院、有研半导体材料有限公
司、浙江海纳半导体有限公司、东莞中镓半导体科技有限公司、南京国盛电子有限公司、江苏中能硅业科
技发展有限公司、苏州协鑫光伏科技有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司。
本标准主要起草人:楼春兰、毛卫中、杨素心、汪新华、邹剑秋、孙燕、潘金平、刘晓霞、马林宝、宫龙飞、
张雪囡、丁晓民、贺东江。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 14844-1993。
半导体材料牌号表示方法
1 范围
本标准规定了半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示方法。
本标准适用于半导体多晶、单晶、晶片、外延片等产品的牌号表示,其他半导体材料牌号表示可参照
执行。
2 牌号分类
按照晶体结构和产品形状,半导体材料牌号分为多晶、单晶、晶片和外延片四类,牌号中涉及的字母
含义参见附录A。
3 牌号表示方法
3.1 多晶牌号
3.1.1 多晶的牌号表示为:
P -
其中:
1、2、3、4、5分别代表牌号的第一项至第五项。
3.1.2 牌号的第一项中第1位P表示多晶,后几位用分子式表示多晶名称,如硅Si、锗Ge等。
3.1.3 牌号的第二项表示多晶的生产方法,用英文第一个字母的大写形式表示,其中:
a) T表示三氯氢硅法;
b) S表示硅烷法;
c) R表......
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