路径: 主页 > GB/T > 第435页 > GB/T 17170-2015 | 标准编号 | GB/T 17170-2015 (GB/T17170-2015) | | 中文名称 | 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法 | | 英文名称 | Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H17 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 6,653 | | 发布日期 | 2015-12-10 | | 实施日期 | 2016-07-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 17170-1997 | | 引用标准 | GB/T 14264 | | 标准依据 | 国家标准公告2015年第38号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。 | GB/T 17170-2015
Test method for the EL2 deep donor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
ICS 77.040
H17
中华人民共和国国家标准
代替 GB/T 17170-1997
半绝缘砷化镓单晶深施主EL2
浓度红外吸收测试方法
2015-12-10发布
2016-07-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 17170-1997《非掺杂半绝缘砷化镓单晶深能级EL2浓度红外吸收测试方法》。
本标准与GB/T 17170-1997相比,主要有以下变化:
---修改了标准名称;
---增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”等章;
---扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围,将电阻率大于107Ω·cm修改为大于106Ω·cm;
---将范围由“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”;
---删除了0.4mm~2mm厚度测试样品的解理制样方法。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、
中国电子材料行业协会。
本标准主要起草人:何秀坤、李静、张雪囡。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 17170-1997。
半绝缘砷化镓单晶深施主EL2
浓度红外吸收测试方法
1 范围
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的红外吸收测试方法。
本标准适用于电阻率大于106Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的
测定。
本标准不适用于掺铬半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度的测定。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
EL2浓度 EL2concentration
EL2(砷化镓单晶中的一种本征缺陷)在砷化镓单晶体内的浓度。
4 方法提要
半绝缘砷化镓单晶中深施主EL2的红外吸收系数α与EL2浓度具有对应关系,测量1.0972μm
处的红外吸收系数并由经验校准公式可计算EL2浓度。红外吸收系数α 与EL2浓度的关系参见
附录A。
5 干扰因素
5.1 杂散光到达检测器,将导致EL2浓度测试结果出现偏差。
5.2 测试样品的测试面积应大于光阑孔径,否则......
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