路径: 主页 > GB/T > 第431页 > GB/T 32278-2025 | 标准编号 | GB/T 32278-2025 (GB/T32278-2025) | | 中文名称 | 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 | | 英文名称 | Test method for thickness and fltaness of monocrystalline silicon carbide wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 10,138 | | 发布日期 | 2025-08-01 | | 实施日期 | 2026-02-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 32278-2015,GB/T 30867-2014 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会 | GB/T 32278-2025: 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
ICS 77.040
CCSH21
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 30867-2014,GB/T 32278-2015
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
2025-08-01发布
2026-02-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件代替GB/T 32278-2015《碳化硅单晶片平整度测试方法》和GB/T 30867-2014《碳化硅单
晶片厚度和总厚度变化测试方法》,本文件以GB/T 32278-2015为主,整合了GB/T 30867-2014的
内容,与GB/T 32278-2015相比,除结构调整和编辑性改动外,主要技术变化如下:
a) 更改了文件的适用范围(见第1章,GB/T 32278-2015的第1章);
b) 增加了对GB/T 14264中术语和定义的引用,增加了“碳化硅单晶片”的术语和定义(见第3章);
c) 删除了“局部厚度变化”的术语和定义(见GB/T 32278-2015的3.1);
d) 增加了接触式测试方法,并将GB/T 30867-2014的有关内容更改后纳入(见第4章);
e) 更改了非接触式测试方法的测试光路示意图(见5.1,GB/T 32278-2015的第4章);
f) 更改了非接触式测试方法的干扰因素,新增表面粗糙度的影响,引用GB/T 30656、GB/T 43885
中关于表面粗糙度的要求(见5.2,GB/T 32278-2015的第6章);
g) 更改了非接触式测试方法的试验条件(见5.3,GB/T 32278-2015的第7章);
h) 更改了非接触式测试方法的仪器设备(见5.4,GB/T 32278-2015的第5章);
i) 更改了非接触式测试方法的样品要求(见5.5,GB/T 32278-2015的第8章);
j) 更改了非接触式测试方法的试验步骤(见5.6,GB/T 32278-2015的第9章);
k) 更改了非接触式测试方法的精密度要求(见5.7,GB/T 32278-2015的第10章)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、
山东天岳先进科技股份有限公司、安徽长飞先进半导体股份有限公司、广东天域半导体股份有限公司、
南京盛鑫半导体材料有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、浙江晶瑞电子材料有限公司、
连科半导体有限公司、长飞光纤光缆股份有限公司、派恩杰半导体(浙江)有限公司。
本文件主要起草人:佘宗静、彭同华、何烜坤、王大军、王波、杨建、贺东江、吴殿瑞、刘小平、刘薇、
黄宇程、胡动力、汪传勇、赵文琪、黄兴。
本文件于2015年首次发布,本次为第一次修订,修订时并入了GB/T 30867-2014《碳化硅单晶片
厚度和总厚度变化测试方法》的内容。
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
1 范围
本文件描述了碳化硅单晶片的厚度和平整度测试方法,包括接触式和非接触式测试方法。
本文件适用于厚度为0.13mm~1mm,直径为50.8mm、76.2mm、100mm、150mm、200mm的
碳化硅单晶片厚度和平整度的测试。
本文件也适用于碳化硅外延片厚度和平整度的测试。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 25915.1-2021 洁净室及相关受控环境 第1部分:按粒子浓度划分空气洁净度等级
GB/T 30656 碳化硅单晶抛光片
GB/T 43885 碳化硅外延片
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
从碳化硅单晶上切取的具有平行平面的薄片。
注:碳化硅单晶片包括切割片、研磨片、抛光片等。
4 接触式测试方法
4.1 方法原理
采用物理接触的方式进行测量,将测量头放置在被测样品的表面,施加压力以确保测量头与被测样
品表面良好接触。当被测样品的厚度变化时,测量头会相应地向内或向外移动。测量头的位移通过主
轴传递到传感器,传感器将机械位移转换为电信号并传输到内部的处理电路。处理电路对信号进行放
大和转换,计算出相应的位移值。根据位移值的变化即可得到厚度和总厚度变化的数值。
该方法适用于碳化硅单晶片厚度和总厚度变化的测试。
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