路径: 主页 > GB/T > 第435页 > GB/T 32281-2015 | 标准编号 | GB/T 32281-2015 (GB/T32281-2015) | | 中文名称 | 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法 | | 英文名称 | Test method for measuring oxygen, carbon, boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock -- Secondary ion mass spectrometry | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H17 | | 国际标准分类 | 77.040.30 | | 字数估计 | 9,927 | | 发布日期 | 2015-12-10 | | 实施日期 | 2017-01-01 | | 标准依据 | 国家标准公告2015年第38号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 32281-2015
Test method for measuring oxygen, carbon, boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock - Secondary ion mass spectrometry
ICS 77.040.30
H17
中华人民共和国国家标准
太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和
磷量的测定 二次离子质谱法
2015-12-10发布
2017-01-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司、中铝宁
夏能源集团有限公司、宁夏银星多晶硅有限责任公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、新特能源股份有限
公司。
本标准主要起草人:薛抗美、夏根平、肖宗杰、盛之林、范占军、蒋建国、林清香、徐自亮、王泽林、
宋高杰、刘国霞。
太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和
磷量的测定 二次离子质谱法
1 范围
本标准规定了太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素体含量的二次离子质谱(SIMS)检测方法。
本标准适用于检测各元素体含量不随深度变化、且不考虑补偿的太阳能级单晶或多晶硅片或硅料
中氧、碳、硼和磷元素的体含量。各元素体含量的检测上限均为0.2%(即< 1×1020atoms/cm3),检测
下限分别为氧含量≥5×1016atoms/cm3、碳含量≥1×1016atoms/cm3、硼含量≥1×1014atoms/cm3 和
磷含量≥2×1014atoms/cm3。四种元素体含量的测定可使用配有铯一次离子源的SIMS仪器一次
完成。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264和ASTME673界定的术语和定义适用于本文件。
4 方法提要
4.1 将机械抛光后具有平坦分析表面的多晶硅或硅单晶样品(一个或多个标准样品及测试样品)装入
样品架内。样品架在空气气氛中100℃烘烤1h后,送入SIMS仪器的分析室。
4.2 用铯(Cs)一次离子束轰击标准样品表面,分析16O、12C、11B28Si和31P的负离子谱图,计算硅中氧、
碳、硼和磷的相对灵敏度因子(RSF)。
4.3 为减少仪器的氧、碳背景含量,用铯一次离子束对样品架中所有样品进行预溅射,二次离子强度不
做分析。预溅射时间的长短取决于仪器和所需的氧、碳背景含量。
4.4 用铯一次离子束以两个不同溅射速率轰击每个样品同一测量区域,通过降低波束光栅面积调整第
二次溅射速率。
4.5 为了达到最优的测试能力,两个溅射速率以及溅射测量时间取决于所使用的仪器。通常,第二个
溅射速率采用仪器最大溅射速率,第一个溅射速率的数值低于第二个溅射速率的二分之一。
4.6 负的二次离子16O、12C、11B28Si和31P经过质谱仪质量分析,被电子倍增器(EM)或者同样高灵敏度
的离子探测器检测,二次离子计数强度是时间的函数。硅的基体元素(如28Si)的负二次离子计数率由
法拉第杯(FC)......
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