路径: 主页 > GB/T > 第426页 > GB/T 33763-2017 | 标准编号 | GB/T 33763-2017 (GB/T33763-2017) | | 中文名称 | 蓝宝石单晶位错密度测量方法 | | 英文名称 | Test method for dislocation density of sapphire single crystal | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H25 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 7,751 | | 发布日期 | 2017-05-31 | | 实施日期 | 2017-12-01 | | 引用标准 | GB/T 14264 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了蓝宝石单晶位错密度的测量方法。本标准适用于抛光加工后位错密度为0个/cm^2～100 000个/cm^2的蓝宝石单晶位错密度的测量，检测面为{0001},{1120},{1012}.{1010}面。 | GB/T 33763-2017
Test method for dislocation density of sapphire single crystal
ICS 77.040
H25
中华人民共和国国家标准
蓝宝石单晶位错密度测量方法
2017-05-31发布
2017-12-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照 GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:江苏协鑫软控设备科技发展有限公司、中国科学院上海光学精密机械研究所、深
圳市中安测标准技术有限公司。
本标准主要起草人:薛抗美、黄修康、杭寅、尹继刚、田野、张永波、张毅。
蓝宝石单晶位错密度测量方法
1 范围
本标准规定了蓝宝石单晶位错密度的测量方法。
本标准适用于抛光加工后位错密度为0个/cm2~100000个/cm2 的蓝宝石单晶位错密度的测量,
检测面为{0001}、{1120}、{1012}、{1010}面。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 方法提要
本方法采用择优化学腐蚀技术显示位错。当用某些化学腐蚀剂腐蚀晶体表面时,在晶体表面上的
位错线露头处,腐蚀速度较快,因而容易形成由某些低指数面组成带棱角的具有特定形状的腐蚀坑。可
用单位面积上的腐蚀坑数目标识位错密度Nd,按式(1)计算:
Nd=
(1)
式中:
Nd---位错密度,单位为个每平方厘米(个/cm2);
n ---穿过视场面积S的位错线数目,单位为个;
S ---视场面积,单位为平方厘米(cm2)。
5 化学试剂
5.1 氢氧化钾(ρ≈2.04g/cm3),分析纯。
5.2 氢氧化钠(ρ≈2.13......
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