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收录标准: 222414 (2026-05-15)
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> GB/T 37049-2018
[PDF] GB/T 37049-2018 - 英文版
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标准名称
状态
GB/T 37049-2018
英文版
199
GB/T 37049-2018
[PDF]天数 >=3
电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
有效
基本信息
标准编号
GB/T 37049-2018 (GB/T37049-2018)
中文名称
电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法
英文名称
Test method for the content of metal impurity in electronic grade polysilicon -- Inductively coupled-plasma mass spectrometry method
行业
国家标准 (推荐)
中标分类
H17
国际标准分类
77.040.30
字数估计
10,148
发布日期
2018-12-28
实施日期
2019-04-01
发布机构
国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
GB/T 37049-2018 Test method for the content of metal impurity in electronic grade polysilicon--Inductively coupled--plasma mass spectrometry method ICS 77.040.30 H17 中华人民共和国国家标准 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 2018-12-28发布 2019-04-01实施 国 家 市 场 监 督 管 理 总 局 中国国家标准化管理委员会 发 布 前言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准 化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。 本标准起草单位:江苏中能硅业科技发展有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分 公司、有研半导体材料有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有 限公司。 本标准主要起草人:鲁文锋、刘晓霞、秦榕、孙燕、赵而敬、王桃霞、赵玉、王忠慧、柳德发、张园园、 银波、邱艳梅、刘强。 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 1 范围 本标准规定了电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定电子级多晶硅中痕量基体金属杂质含量的 方法。 本标准适用于 GB/T 12963中在基体金属杂质小于5ng/g范围内铁、铬、镍、铜、锌、钠含量的 测定。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 12963 电子级多晶硅 GB/T 14264 半导体材料术语 GB/T 25915.1-2010 洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级 JJF1159 四级杆电感耦合等离子体质谱仪校准规范 ing) 3 术语和定义 GB/T 14264及JJF1159界定的以及下列术语和定义适用于本文件。 3.1 分辨率 resolution 以某元素质量峰高10%处的峰宽表示。 3.2 检出限 detectionlimit 质谱仪在一定的置信度内所能测定的某元素的最低极限质量浓度。 3.3 空白试剂(纯水)信号平均值的三倍标准偏差所对应的浓度值。 3.4 方法检出限(定量下限) mothoddetectionlimit 给......
英文网页English:
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