路径: 主页 > GB/T > 第393页 > GB/T 37053-2018 | 标准编号 | GB/T 37053-2018 (GB/T37053-2018) | | 中文名称 | 氮化镓外延片及衬底片通用规范 | | 英文名称 | General specification for epitaxial wafers and substrates based on gallium nitride | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 14,170 | | 发布日期 | 2018-12-28 | | 实施日期 | 2019-07-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 37053-2018
General specification for epitaxial wafers and substrates based on gallium nitride
ICS 29.045
H83
中华人民共和国国家标准
氮化镓外延片及衬底片通用规范
2018-12-28发布
2019-07-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:东莞市中镓半导体科技有限公司、合肥彩虹蓝光科技有限公司、苏州纳维科技有
限公司、南京大学电子科学与工程学院、中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:丁晓民、刘南柳、潘尧波、徐科、修向前、孙永健、王香、张国义。
氮化镓外延片及衬底片通用规范
1 范围
本标准规定了氮化镓外延片(以下简称外延片)及氮化镓衬底片(以下简称衬底片)的通用规范,包
括产品分类、要求、检验方法、检验规则以及标志、包装、运输和储存等。
本标准适用于氮化镓外延片与氮化镓衬底片。产品主要用于发光二极管、激光二极管、探测器等光
电器件,以及微波与电力电子功率器件。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 5698-2001 颜色术语
GB/T 14264-2009 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 5698-2001、GB/T 14264-2009界定的以及下列术语和定义适用于本文件。为了便于使
用,以下重复列出GB/T 14264-2009中的某些术语和定义。
3.1 衬底结构
3.1.1
氮化镓自支撑衬底 free-standingGaNsubstrate
半导体工艺中的基底,具有特定晶面和适当电学、光学和机械特性的用于外延沉积、扩散、离子注入
等后续工艺操作的氮化镓基片。
3.1.2
氮化镓复合衬底 GaNtemplate
由氮化镓单晶薄膜材料与其支撑基底构成的复合结构,用于外延沉积、扩散、离子注入等后续工艺
操作的氮化镓基片。
3.2 衬底导电类型......
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