路径: 主页 > GB/T > 第393页 > GB/T 41652-2022 | 标准编号 | GB/T 41652-2022 (GB/T41652-2022) | | 中文名称 | | | 英文名称 | Silicon electrode and silicon ring for plasma etching machine | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H82 | | 字数估计 | 8,830 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 41652-2022
Silicon electrode and silicon ring for plasma etching machine
ICS 29.045
CCSH82
中华人民共和国国家标准
刻蚀机用硅电极及硅环
2022-07-11发布
2023-02-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:有研半导体硅材料股份公司、山东有研半导体材料有限公司、新美光(苏州)半导
体科技有限公司、浙江海纳半导体有限公司。
本文件主要起草人:库黎明、孙燕、闫志瑞、张果虎、夏秋良、潘金平。
刻蚀机用硅电极及硅环
1 范围
本文件规定了刻蚀机用硅电极及硅环的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存和随
行文件以及订货单内容。
本文件适用于p< 100 >直拉硅单晶加工成的刻蚀机用直径200mm~450mm的硅电极及硅环。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
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