标准搜索结果: 'GB/T 43087-2023'
| 标准编号 | GB/T 43087-2023 (GB/T43087-2023) | | 中文名称 | 微束分析 分析电子显微术 层状材料截面像中界面位置的确定方法 | | 英文名称 | Microbeam analysis - Analytical electron microscopy - Method for the determination of interface position in the cross-sectional image of the layered materials | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | N33 | | 国际标准分类 | 71.040.50 | | 字数估计 | 42,434 | | 发布日期 | 2023-09-07 | | 实施日期 | 2024-04-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 43087-2023: 微束分析 分析电子显微术 层状材料截面像中界面位置的确定方法
ICS 71.040.50
CCSN33
中华人民共和国国家标准
微束分析 分析电子显微术
层状材料截面像中界面位置的确定方法
(ISO 20263:2017,MOD)
2023-09-07发布
2024-04-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
引言 Ⅳ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语、定义和符号 1
3.1 术语和定义 1
3.2 符号 3
4 截面试样的制备 3
4.1 通则 3
4.2 截面试样的要求 4
5 界面位置的确定 4
5.1 概述 4
5.2 准备工作 4
6 界面位置测定步骤 6
6.1 概述 6
6.2 截面TEM像/STEM像的获取 8
6.3 ROI的设置 9
6.4 均值强度曲线的获取 14
6.5 移动平均处理 16
6.6 差分处理 17
6.7 界面位置的确定 17
7 不确定度 18
7.1 处理过程中各个步骤累积的不确定度 18
7.2 图像分析中测量结果的不确定度 18
附录A(资料性) 三种类型实际TEM像/STEM像的处理示例 20
A.1 概述 20
A.2 类型1图像的处理示例 20
A.3 类型2图像的处理示例 22
A.4 类型3图像的处理示例 25
附录B(资料性) 本方法的两个主要应用 30
B.1 概述 30
B.2 应用1:层厚的测量 30
B.3 应用2:图像放大倍数的校准 32
附录C(资料性) 标尺单位的校准:像素尺寸的校准 36
C.1 概述 36
C.2 校准步骤 36
参考文献 37
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件修改采用ISO 20263:2017《微束分析 分析电子显微术 层状材料截面像中界面位置的确定
方法》。
本文件与ISO 20263:2017的技术差异及其原因如下:
---更改了图10c)、图11和图12a)的纵坐标(见6.4、6.5、6.6),增加可操作性,便于本文件的应用;
---更改了测量次数的表达,总数据集的表达公式以及公式(9)的表达(见7.1),提高计算的准确
性,便于本文件的应用;
---更改了图A.6中R 的长度(见A.3.1),提高数据的准确性;
---更改了图A.18中S6 的像素值为1779pix(见A.4.5),增加可操作性,便于本文件的应用。
本文件做了下列编辑性改动:
---增加了范围的注(见第1章),以提高确定界面位置方法的可操作性;
---删除了未使用或仅使用一次的术语(见3.1);
---用资料性引用的GB/T 34002-2017代替ISO 29301:2010(见3.1.3、3.1.6、3.1.10、3.1.14、
6.2.1、7.2、参考文献);
---增加了术语多层模拟法的注,给出了多层模拟法的别称多片法(见3.1.12);
---更改了EDS和EDX定义的表述方式(见3.2);
---增加了缩略语RM和CRM(见3.2);
---增加了确定界面位置的注(见6.7),说明了选取截面像范围和截面像的品质是确定界面位置的
重要依据;
---删除了界面位置数列(见附录A),分别更改为如图A.5所示、如图A.10所示、如图A.18所示
(见A.2.5、A.3.5、A.4.6)。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。
本文件由全国微束分析标准化技术委员会(SAC/TC38)提出并归口。
本文件起草单位:北京科技大学。
本文件主要起草人:权茂华、柳得橹。
引 言
层状材料被广泛应用于半导体器件、各类传感器、光学元件涂层、新功能材料等领域。在评估产品
和验证生产工艺时,层厚是决定层状材料特性的因素之一。实际上,材料总厚、每层厚度的测量以及层
厚的均匀性、界面的平坦性的检查,通常用材料的记录像来实行。通过截面的TEM 像/STEM 像能确
定两种不同材料之间的平均界面位置。
如果能建立材料的原子结构模型,应用多层模拟(MSS)法可以确定高分辨原子像中的界面位置。
然而,在实际材料中,有许多情况不能应用多层模拟法,例如:
---非晶层或非晶基底和晶体层之间的界面;
---不能识别原子柱的低分辨率像所记录的界面:1)较厚的单层材料;2)厚的多层材料。
本文件阐述了从层状材料截面TEM 像/STEM 像的感兴趣(ROI)区获取强度曲线进行差分处理
来确定平均界面位置的方法。能够测量的层厚范围为几纳米到几微米。
微束分析 分析电子显微术
层状材料截面像中界面位置的确定方法
1 范围
本文件规定了用层状材料截面像所记录的两种不同材料之间平均界面位置的测定方法。
本文件适用于透射电子显微镜(TEM)或扫描透射电子显微镜(STEM)所记录的层状材料截面像
和X射线能谱仪(EDS)或者电子能量损失谱仪(EELS)所记录的截面元素面分布图。也适用于由数码
相机、电脑存储器和成像板图像传感器所采集的数字像以及胶片记录的模拟像经扫描仪转换的数字像。
本文件不适用于测定多层模拟法(MSS)获得的界面位置。
注:TEM 像/STEM 像中界面两侧衬度差较小时,会导致像素强度剧烈震荡,所产生的噪声将影响平均界面位置
的判定。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 术语、定义和符号
3.1 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1.1
截面像 cross-sectionalimage
多层材料沿垂直于堆垛方向的TEM像/STEM像。
3.1.2
在强度分布图中计算相邻像素数据的差值。
3.1.3
数码相机 digi......
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