路径: 主页 > GB/T > 第202页 > GB/T 43493.1-2023 | 标准编号 | GB/T 43493.1-2023 (GB/T43493.1-2023) | | 中文名称 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | | 英文名称 | Semiconductor device - Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices - Part 1: Classification of defects | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L90 | | 国际标准分类 | 31.080.99 | | 字数估计 | 22,263 | | 发布日期 | 2023-12-28 | | 实施日期 | 2024-07-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 43493.1-2023: 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类
ICS 31.080.99
CCSL90
中华人民共和国国家标准
半导体器件
功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的
无损检测识别判据
第1部分:缺陷分类
(IEC 63068-1:2019,IDT)
2023-12-28发布
2024-07-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅲ
引言 Ⅳ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 缺陷分类 5
4.1 通则 5
4.2 缺陷类别说明 5
参考文献 17
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
本文件是GB/T 43493《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据》的
第1部分。GB/T 43493已经发布了以下部分:
---第1部分:缺陷分类;
---第2部分:缺陷的光学检测方法;
---第3部分:缺陷的光致发光检测方法。
本文件等同采用IEC 63068-1:2019《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测
识别判据 第1部分:缺陷分类》。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布结构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:河北半导体研究所(中国电子科技集团公司第十三研究所)、山东天岳先进科技股
份有限公司、之江实验室、浙江大学、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国科学院半导体研究
所、中电化合物半导体有限公司、广东天域半导体股份有限公司、TCL环鑫半导体(天津)有限公司、
山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、深圳创智芯联科技股份有限公司、深圳市晶
扬电子有限公司、广州弘高科技股份有限公司、常州臻晶半导体有限公司、深圳超盈智能科技有限公司、
深圳市星汉激光科技股份有限公司、中微半导体(上海)有限公司。
本文件主要起草人:房玉龙、芦伟立、李佳、张冉冉、张红岩、王健、李丽霞、殷源、李振廷、张建峰、
徐晨、杨青、刘立娜、钮应喜、金向军、丁雄杰、刘薇、杨玉聪、魏汝省、吴会旺、姚玉、高东兴、王辉、陆敏、
夏俊杰、周少丰、郭世平。
引 言
碳化硅(SiC)作为半导体材料,被广泛应用于新一代功率半导体器件中。与硅(Si)相比,具有击穿
电场强度高、导热率高、饱和电子漂移速率高和本征载流子浓度低等优越的物理性能,SiC基功率半导
体器件相对于硅基器件,具有更快的开关速度、低损耗、高阻断电压和耐高温等性能。
SiC功率半导体器件尚未全面得以应用,主要由于成本高、产量低和长期可靠性等问题。其中一个
严重的问题是SiC外延材料的缺陷。尽管都在努力降低SiC外延片中的缺陷,但商用SiC外延片中仍
存在一定数量的缺陷。因此有必要建立SiC同质外延片质量评定国际标准。
GB/T 43493旨在给出高功率半导体器件用4H-SiC同质外延片中各类缺陷的分类、光学检测方法
和光致发光检测方法。由三个部分组成。
---第1部分:缺陷分类。目的是列出并提供高功率半导体器件用4H-SiC同质外延片中各类缺
陷及其典型特征。
---第2部分:缺陷的光学检测方法。目的是给出并提供高功率半导体器件用4H-SiC同质外延
片中缺陷光学检测的定义和指导方法。
---第3部分:缺陷的光致发光检测方法。目的是给出并提供高功率半导体器件用4H-SiC同质
外延片中缺陷光致发光检测的定义和指导方法。
半导体器件
功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的
无损检测识别判据
第1部分:缺陷分类
1 范围
本文件给出了4H-SiC(碳化硅)同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类,并通过
明场光学显微术(OM)、光致发光(PL)和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。
2 规范性引用文件
本文件没有规范性引用文件。
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
ISO 和IEC 维护的用于标准化的术语数据库地址如下:
---ISO 在线浏览平台:availableathttps://www.iso.org/obp
3.1
碳化硅 siliconcarbide
SiC
由硅和碳组成的半导体晶体,该晶体具有3C、4H和6H等多种类型。
注:符号(如4H)表示周期性叠加层数(2,3,4,)和晶体类型的对称性(H:六方,C:立方)。
3.2
3C碳化硅 3Csiliconcarbide
3C-SiC
具有闪锌矿结构的碳化硅晶体,其中沿< 111 >方向三个Si-C层呈周期性排列。
3.3
4H碳化硅 4Hsiliconcarbide
4H-SiC
呈六方对称的碳化硅晶体,其中......
|