标准搜索结果: 'GB/T 43612-2023'
| 标准编号 | GB/T 43612-2023 (GB/T43612-2023) | | 中文名称 | 碳化硅晶体材料缺陷图谱 | | 英文名称 | Collection of metallographs on defects in silicon carbide crystal materials | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 50,520 | | 发布日期 | 2023-12-28 | | 实施日期 | 2024-07-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 43612-2023: 碳化硅晶体材料缺陷图谱
ICS 29.045
CCSH80
中华人民共和国国家标准
碳化硅晶体材料缺陷图谱
2023-12-28发布
2024-07-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发 布
目次
前言 Ⅰ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 缩略语 2
5 碳化硅晶体材料缺陷 2
5.1 晶锭缺陷 2
5.2 衬底缺陷 4
5.3 外延缺陷 8
5.4 工艺缺陷 12
6 缺陷图谱 13
6.1 晶锭缺陷图谱 13
6.2 衬底缺陷图谱 14
6.3 外延缺陷图谱 22
6.4 工艺缺陷图谱 41
参考文献 44
索引 45
前言
本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则 第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定
起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布结构不承担识别专利的责任。
本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本文件起草单位:广东天域半导体股份有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司、北京第
三代半导体产业技术创新战略联盟、山东天岳先进科技股份有限公司、河北同光半导体股份有限公司、
北京大学东莞光电研究院、山西烁科晶体有限公司、河北普兴电子科技股份有限公司、北京天科合达半
导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所、中国科学院半导体研究所、湖州东尼半导体
科技有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、中电化合物半导体有限公司、南京国盛电子有
限公司、哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司、新美光(苏州)半导体科技有限公司、江苏
卓远半导体有限公司。
本文件主要起草人:丁雄杰、刘薇、韩景瑞、贺东江、李素青、丁晓民、张红、李焕婷、张红岩、杨昆、
李斌、尹浩田、高伟、路亚娟、佘宗静、王阳、钮应喜、晏阳、姚康、金向军、吴殿瑞、李国鹏、张新峰、赵丽丽、
张胜涛、夏秋良、李国平。
碳化硅晶体材料缺陷图谱
1 范围
本文件规定了导电型4H碳化硅(4H-SiC)晶体材料缺陷的形貌特征,产生原因和缺陷图谱。
本文件适用于半导体行业碳化硅(晶锭、衬底片、外延片及后续工艺)的研发、生产及检测分析等
环节。
2 规范性引用文件
下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文
件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于
本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
晶锭缺陷 ingotdefect
4H-SiC晶锭在PVT法生长过程中因籽晶自身缺陷延伸、偏离化学计量比、晶锭内部应力、杂质而
产生的缺陷。
3.2
衬底缺陷 substratedefect
4H-SiC衬底中的结晶缺陷或结构缺陷以及切、磨、抛加工后留在4H-SiC衬底表面上的缺陷。
3.3
外延缺陷 epitaxialdefect
4H-SiC外延层中的结晶缺陷以及4H-SiC外延层表面上因采用台阶流动控制外延生长方法而产
生的缺陷。
3.4
器件制造或材料改性工艺过程中引入到4H-SiC晶体中的深能级中心或非本征结晶缺陷。
3.5
结晶缺陷 crystalinedefect
4H-SiC晶体中的点、线、面及体缺陷。
注:包括4H-SiC晶锭和衬底中的点、线、面及体缺陷,以及4H-SiC外延层中的点、线、面缺陷。
3.6
因偏晶......
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