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[PDF] GB/T 45718-2025 - 英文版

标准号码	内文	价格美元	第2步(购买)	交付天数	标准名称	状态
GB/T 45718-2025	英文版	374	GB/T 45718-2025	[PDF]天数 >=3	半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验	有效

基本信息
标准编号	GB/T 45718-2025 (GB/T45718-2025)
中文名称	半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验
英文名称	Semiconductor devices - Time-dependent dielectric breakdown (TDDB) test for inter-metal layers
行业	国家标准 (推荐)
中标分类	L40
国际标准分类	31.080.01
字数估计	18,166
发布日期	2025-05-30
实施日期	2025-09-01
发布机构	国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 45718-2025: 半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 ICS 31.080.01 CCSL40 中华人民共和国国家标准半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验 (TDDB)testforinter-metallayers 2025-05-30发布 2025-09-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布目次前言 Ⅲ 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 试验设备 2 5 试验样品 2 5.1 通则 2 5.2 测试结构 2 6 试验程序 4 6.1 概述 4 6.2 预测试 4 6.3 试验条件 4 6.4 失效判据 5 7 寿命时间估算 5 7.1 总则 5 7.2 加速模型 6 7.3 E模型公式 6 7.4 寿命时间估算步骤 6 8 寿命时间与金属层间介质面积的相关性 8 9 说明事项 8 附录A(资料性) 寿命时间估算工程性补充说明 10 A.1 加速因子的典型值 10 A.2 使用威布尔统计绘制数据的过程 10 参考文献 11 前言本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文本件等同采用IEC 62374-1:2010《半导体器件第1部分:内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验》。本文件增加了“规范性引用文件”一章。本文件做了下列最小限度的编辑性改动: ---为与现有标准协调,将标准名称改为《半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿 (TDDB)试验》。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。本文件起草单位:工业和信息化部电子第五研究所、吉林华微电子股份有限公司、广东科信电子有限公司、中国电子科技集团公司第二十四研究所、广东汇芯半导体有限公司、上海交通大学、青岛芯瑞智能控制有限公司、电子科技大学。本文件主要起草人:高汭、陈义强、王铁羊、柯佳键、冯宇翔、雷志锋、方文啸、杨晓锋、俞鹏飞、来萍、常江、罗俊、纪志罡、李治平、宫玉彬。半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)试验 1 范围本文件描述了半导体器件内部金属层间的时间相关介电击穿(TDDB)的试验方法、测试结构和寿命时间估算方法。 2 规范性引用文件本文件没有规范性引用文件。 3 术语和定义下列术语和定义适用于本文件。 3.1 Ileak 当施加工作电压时,通过金属层间介质层的泄漏电流。 3.2 Ileak-0 施加应力电压前通过金属层间介质层的泄漏电流。 3.3 限制电流 compliancecurrent 电压驱动设备的最大电流。注:能为特定试验设置合适的Icomp值。 3.4 Imeas 3.5 击穿......

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