路径: 主页 > GB/T > 第746页 > GB/T 45716.1-2026

[PDF] GB/T 45716.1-2026 - 英文版

标准号码	内文	价格美元	第2步(购买)	交付天数	标准名称	状态
GB/T 45716.1-2026	英文版	RFQ	询价	[PDF]天数 >=3	半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验	有效

基本信息
标准编号	GB/T 45716.1-2026 (GB/T45716.1-2026)
中文名称	半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验
英文名称	Semiconductor devices - Bias-temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) - Part 1: Fast bias-temperature instability test for MOSFETs
行业	国家标准 (推荐)
中标分类	L40
国际标准分类	31.080.30
发布日期	2026-04-30
实施日期	2026-11-01
发布机构	国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会

......

英文网页English: GB/T 45716.1-2026

相关标准: