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[PDF] GB/T 45719-2025 - 英文版

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GB/T 45719-2025	英文版	294	GB/T 45719-2025	[PDF]天数 >=3	半导体器件金属氧化物半导体（MOS）晶体管的热载流子试验	有效

基本信息
标准编号	GB/T 45719-2025 (GB/T45719-2025)
中文名称	半导体器件金属氧化物半导体（MOS）晶体管的热载流子试验
英文名称	Semiconductor devices - Hot carrier test on metal-oxide semiconductor (MOS) transistors
行业	国家标准 (推荐)
中标分类	L40
国际标准分类	31.080.01
字数估计	14,155
发布日期	2025-05-30
实施日期	2025-09-01
发布机构	国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 45719-2025: 半导体器件金属氧化物半导体（MOS）晶体管的热载流子试验 ICS 31.080.01 CCSL40 中华人民共和国国家标准半导体器件金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的热载流子试验 transistors transistors,IDT) 2025-05-30发布 2025-09-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会发布目次前言 Ⅲ 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 符号和缩略语 1 5 测试结构 2 6 应力时间 2 7 应力条件 2 8 样本量 3 9 温度 3 10 失效判据 3 11 寿命评估方法 3 12 寿命时间要求 4 13 报告 4 参考文献 6 前言本文件按照GB/T 1.1-2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件等同采用IEC 62416:2010《半导体器件 MOS晶体管的热载流子试验》。本文件增加了“规范性引用文件”和“术语和定义”两章。本文件做了下列最小限度的编辑性改动: ---为与现有标准协调,将标准名称改为《半导体器件金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的热载流子试验》。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出。本文件由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。本文件起草单位:工业和信息化部电子第五研究所、西安电子科技大学、国防科技大学、河北北芯半导体科技有限公司、中国电子科技集团公司电子第五十八研究所。本文件主要起草人:路国光、章晓文、林晓玲、游海龙、杨少华、彭超、肖庆中、韦覃如、来萍、梁斌、张魁、赵文斌、晋李华。半导体器件金属氧化物半导体(MOS) 晶体管的热载流子试验 1 范围本文件描述了晶圆级的NMOS和PMOS晶体管热载流子试验方法,该试验旨在确定某个CMOS 工艺中的单个晶体管是否满足所需的热载流子注入效应的寿命时间。 2 规范性引用文件本文件没有规范性引用文件。 3 术语和定义本文件没有需要界定的术语和定义。 4 符号和缩略语下列符号和缩略语适用于本文件。 (C)MOS:互补 MOS。 gm(μA/V):MOS晶体管的跨导。 gm,max(μA/V):MOS晶体管的最大跨导。 gm,max(MOST):方形 MOS晶体管的gm,max(L=W)。 Ib(μA):MOS晶体管的衬底电流。 Ids(μA):MOS晶体管的漏-源电流。 Ids,sat(μA):Vgs=Vds=Vds,use_max时的饱和漏源电流;应力作用期间,不改变源极和漏极的条件下测量得到Ids,sat_forward,当改变源极和漏极的位置的条件下测量得到Ids,sat_reverse。 Ig(nA):MOS晶体管的栅极电流。 L(μm):MOS晶体管的栅极的长度。 L(MOST):方形 MOS晶体管的长度(L=W)。 Leff(μm):MOS晶体管的有效电沟道长度。对于给定的沟道长度L,Leff由大的方形 MOS晶体管的gm,max确定(W=L≫Lnominal)。 Lnominal(μm):工艺设计规则允许的最小长度。 MOS:金属氧化物半导体。 NMOS:n沟道 MOS晶体管。 PMOS:p沟道......

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相关标准: SJ/T 11281 | GB/T 45718 | GB/T 45716 | SJ/T 11281 |