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收录标准: 222397 (2026-05-14)
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GB/T
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第242页
> GB/T 6351-1998
[PDF] GB/T 6351-1998 - 英文版
标准号码
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标准名称
状态
GB/T 6351-1998
英文版
389
GB/T 6351-1998
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半导体器件 分立器件 第2部分;整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管 (包括雪崩整流二极管) 空白详细规范
基本信息
标准编号
GB/T 6351-1998 (GB/T6351-1998)
中文名称
半导体器件 分立器件 第2部分;整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管 (包括雪崩整流二极管) 空白详细规范
英文名称
Semiconductor devices. Discrete devices. Part 2: Rectifier diodes Section One. Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes)1, ambient and case-rated, up to 100A
行业
国家标准 (推荐)
中标分类
L43
国际标准分类
31.080.10
字数估计
11,114
发布日期
11/17/1998
实施日期
6/1/1999
旧标准 (被替代)
GB/T 6351-1986
采用标准
IEC 60747-2-1-1989, IDT
发布机构
国家技术监督局
范围
本标准规定了制定环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)详细规范的基本原则, 制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。本标准是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件 分立器件和集成电路总规范》(IEC 747-10:1984)和GB/T 12560-1990《半导体器件 分立器件分规范》(IEC 747-11:1985)有关的一系列空白详细规范中的一个。
......
英文网页English:
GB/T 6351-1998
相关标准:
SJ/T 11281
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SJ/T 11281
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SJ/T 11141
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GB/T 18910.2
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