GB/T 6351-1998 相关标准英文版PDF

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标准号码	内文	价格美元	第2步(购买)	交付天数	标准名称	详情	状态
GB/T 6351-1998	英文版	389	GB/T 6351-1998	[PDF]天数 <=3	半导体器件分立器件第2部分;整流二极管第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管 (包括雪崩整流二极管) 空白详细规范	GB/T 6351-1998
GB/T 6351-1986	英文版	RFQ	询价	[PDF]天数 <=3	100A以下环境和管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范(可供认证用)	GB/T 6351-1986	作废

基本信息
标准编号	GB/T 6351-1998 (GB/T6351-1998)
中文名称	半导体器件分立器件第2部分;整流二极管第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管 (包括雪崩整流二极管) 空白详细规范
英文名称	Semiconductor devices. Discrete devices. Part 2: Rectifier diodes Section One. Blank detail specification for rectifier diodes(including avalanche recti-fier diodes)1, ambient and case-rated, up to 100A
行业	国家标准 (推荐)
中标分类	L43
国际标准分类	31.080.10
字数估计	11,114
发布日期	11/17/1998
实施日期	6/1/1999
旧标准 (被替代)	GB/T 6351-1986
采用标准	IEC 60747-2-1-1989, IDT
发布机构	国家技术监督局
范围	本标准规定了制定环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)详细规范的基本原则, 制定该范围内的所有详细规范应尽可能与本空白详细规范相一致。本标准是与GB/T 4589.1-1989《半导体器件分立器件和集成电路总规范》(IEC 747-10:1984)和GB/T 12560-1990《半导体器件分立器件分规范》(IEC 747-11:1985)有关的一系列空白详细规范中的一个。

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