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[PDF] SJ 20016-1992 - 英文版

标准号码	内文	价格美元	第2步(购买)	交付天数	标准名称	状态
SJ 20016-1992	英文版	389	SJ 20016-1992	[PDF]天数 >=3	半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管.详细规范

基本信息
标准编号	SJ 20016-1992 (SJ20016-1992)
中文名称	半导体分立器件GP、GT和GCT级3DG182型NPN硅小功率高反压晶体管.详细规范
英文名称	Semiconductor discrete device. Detail specification for PNP silicon low-power high-reverse-voltage transistor for types 3DG182 GP, GT and types GCT classes
行业	电子行业标准
中标分类	L42
字数估计	11,178
发布日期	2/1/1992
实施日期	5/1/1992
引用标准	GB 4587-1984; GB 7581-1987; GJB 33-1985; GJB 128-1986
范围	本规范规定了3DG 182型NPN硅小功率高反压晶体管(以下简称器件)的详细要求。该种器件均按GJB33-85《半导体分立器件总规范》的规定, 提供产品保证的三个等级(GP、GT和GCT级)。

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