路径: 主页 > SJ > 第81页 > SJ 20635-1997 | 标准编号 | SJ 20635-1997 (SJ20635-1997) | | 中文名称 | 半绝缘砷化镓剩余杂质浓度微区试验方法 | | 英文名称 | Test method for residual impurities concentration in microzone of semi-insulating gallium arsenide | | 行业 | 电子行业标准 | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 31.26 | | 字数估计 | 14,178 | | 发布日期 | 6/17/1997 | | 实施日期 | 10/1/1997 | | 引用标准 | SJ 3249.2-1989 | | 范围 | 本标准规定了厚度为0.4～2.0mm的半绝缘砷化镓晶片中碳、EL2、铬和硅浓度的微区测量方法。本标准适用于半绝缘砷化镓晶片中主要剩余杂质碳、EL2、铬和硅浓度的测定。 | ......
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