路径: 主页 > SJ > 第81页 > SJ 20858-2002 | 标准编号 | SJ 20858-2002 (SJ20858-2002) | | 中文名称 | 碳化硅单晶材料电学参数测试方法 | | 英文名称 | Measuring methods for electrical parameters of silicon carbide single crystal material | | 行业 | 电子行业标准 | | 中标分类 | H82 | | 字数估计 | 9,924 | | 发布日期 | 2002-12-12 | | 实施日期 | 2003-05-01 | | 引用标准 | GB/T 4326-1984 | | 范围 | 本标准规定了碳化硅单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测试方法。本标准适用于温度在20℃～700℃范围内的4H-SiC、6H-SiC等低阻碳化硅体单晶材料的电阻率、霍尔迁移率测量。 | ......
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