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收录标准: 222414 (2026-05-15)
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SJ
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第31页
> SJ 21635-2021
[PDF] SJ 21635-2021 - 英文版
标准号码
内文
价格美元
第2步(购买)
交付天数
标准名称
状态
SJ 21635-2021
英文版
839
SJ 21635-2021
[PDF]天数 >=6
半导体集成电路 异步双端口静态随机存储器(SRAM)测试方法
有效
基本信息
标准编号
SJ 21635-2021 (SJ21635-2021)
中文名称
半导体集成电路 异步双端口静态随机存储器(SRAM)测试方法
英文名称
(Semiconductor integrated circuits-Asynchronous dual-port static random access memory (SRAM) test method)
行业
电子行业标准
中标分类
L56
国际标准分类
31.200
字数估计
38,368
发布日期
2021-12-27
实施日期
2022-03-01
发布机构
工业和信息化部
......
英文网页English:
SJ 21635-2021
相关标准:
SJ/T 11891
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SJ 21619
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SJ 21651
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SJ 21634
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