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SJH 21635-2021 相关标准英文版PDF

搜索结果: SJH 21635-2021, SJH21635-2021

标准号码	内文	价格美元	第2步(购买)	交付天数	标准名称	详情	状态
SJ 21635-2021	英文版	839	SJ 21635-2021	[PDF]天数 <=6	半导体集成电路异步双端口静态随机存储器(SRAM)测试方法	SJ 21635-2021	有效

基本信息
标准编号	SJ 21635-2021 (SJ21635-2021)
中文名称	半导体集成电路异步双端口静态随机存储器(SRAM)测试方法
英文名称	(Semiconductor integrated circuits-Asynchronous dual-port static random access memory (SRAM) test method)
行业	电子行业标准
中标分类	L56
国际标准分类	31.200
字数估计	38,368
发布日期	2021-12-27
实施日期	2022-03-01
发布机构	工业和信息化部

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英文网页English: SJH 21635-2021

相关标准: SJ/T 11891 | SJ 21619 | SJ 21651 | SJ 21634 |