GB/T 11093-2007 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| GB/T 11093-2007 | 369 | GB/T 11093-2007 | [PDF]天数 <=3 | 液封直拉法砷化镓单晶及切割片 |
| GB/T 11093-1989 | 279 | GB/T 11093-1989 | [PDF]天数 <=3 | 液封直拉法砷化镓单晶及切割片 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 11093-2007 (GB/T11093-2007) |
| 中文名称 | 液封直拉法砷化镓单晶及切割片 |
| 英文名称 | Liquid encapsulated Czochralski-grown gallium arsenide single crystals and as-cut slices |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H83 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 14,127 |
| 发布日期 | 2007-09-11 |
| 实施日期 | 2008-02-01 |
| 旧标准 (被替代) | GB/T 11093-1989 |
| 引用标准 | GB/T 1555; GB/T 2828.1; GB/T 4326; GB/T 8760; GB/T 13387; GB/T 14264; GB/T 14844; GJB 1927 |
| 标准依据 | 中国国家标准批准发布公告2007年第11号(总第111号) |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮存等。 本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料。 |
GB/T 11093-2007
Liquid encapaulated czochralski-grouwn gallium arsenide single crystals and as-cut slices
ICS ２９．０４５
H８３
中华人民共和国国家标准
GB/T １１０９３-２００７
代替GB/T １１０９３-１９８９
液封直拉法砷化镓单晶及切割片
２００７-０９-１１发布
２００８-０２-０１实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准是对GB/T １１０９３-１９８９《液封直拉法砷化镓单晶及切割片》的修订。
本标准与GB/T １１０９３-１９８９相比，主要有如下变动：
---单晶和切割片的牌号按照GB/T １４８４４《半导体材料牌号表示方法》进行了修订；
---增加了７６．２ｍｍ（３ｉｎ）、１００ｍｍ、１２５ｍｍ和１５０ｍｍ规格的产品；
---增加了掺入碳等杂质元素的产品；
---去掉了４０ｍｍ规格的产品；
---取消了按位错密度对产品进行分级。
本标准自实施之日起，代替GB/T １１０９３-１９８９。
本标准由中国有色金属工业协会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：北京有色金属研究总院。
本标准主要起草人：张峰翊、郑安生。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为：
---GB/T １１０９３-１９８９。
GB/T １１０９３-２００７
液封直拉法砷化镓单晶及切割片
１ 范围
本标准规定了液封直拉法砷化镓单晶及切割片的要求、试验方法、检验规则和标志、包装运输贮
存等。
本标准适用于液封直拉法制备的砷化镓单晶及其切割片。产品供制作微波器件、集成电路、光电器
件、传感元件和红外线窗口等元器件用材料。
２ 规范性引用文件
下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有
的修改单（不包括勘误的内容）或修订版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究
是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。
GB/T １５５５ 半导体单晶晶向测定方法
GB/T ２８２８．１ 计数抽样检验程序 第１部分：按接收质量限（ＡＱＬ）检索的逐批检验抽样计划
GB/T ４３２６ 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T ８７６０ 砷化镓单晶位错密度测量方法
GB/T １３３８７ 电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T １４２６４ 半导体材料术语
GB/T １４８４４ 半导体材料牌号表示方法
ＧＪＢ１９２７ 砷化镓单晶材料测试方法
３ 要求
３．１ 产品分类
产品按导电类型和电阻率分为半绝缘型（ＳＩ型），低阻导电型（ｎ型和ｐ型）。
３．２ 牌号
３．２．１ 单晶的牌号表示为
ＬＥＣ-ＧａＡｓ-□（）-
＜ ＞
表示砷化镓单晶的生长方法为液封直拉法
砷化镓材料的分子式
导电类型，扩号内元素符号为掺杂剂，如果有两个或两个以上的掺杂剂，
中间用“＋”
连接
用密勒指数表示的晶向
若单晶不强调生产方法或不掺杂时，其相应牌号部分可以省略。
示例：
ＬＥＣ-ＧａＡｓ-ＳＩ-＜１００＞ 表示液封直拉法半绝缘＜１００＞方向砷化镓单晶；
ＬＥＣ-ＧａＡｓ-ｎ（Ｔｅ）-＜１００＞表示液封直拉法掺碲（Ｔｅ）......