| 标准编号 | GB/T 14142-2017 (GB/T14142-2017) | | 中文名称 | 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 | | 英文名称 | Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon -- Etching technique | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H25 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 7,772 | | 发布日期 | 2017-09-29 | | 实施日期 | 2018-04-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 14142-1993 | | 标准依据 | 国家标准公告2017年第23号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 14142-2017
Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon-Etching technique
ICS 77.040
H25
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 14142-1993
硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
2017-09-29发布
2018-04-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 14142-1993《硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法》。
本标准与GB/T 14142-1993相比,主要技术变化如下.
---修订了方法提要(见第4章,1993年版第2章);
---增加了干扰因素(见第5章);
---增加了无铬溶液及其腐蚀方法(见5.2、6.13、9.2.2)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位.南京国盛电子有限公司、有研半导体材料有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限
公司。
本标准主要起草人.马林宝、骆红、杨帆、刘小青、陈赫、张海英。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为.
---GB/T 14142-1993。
硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
1 范围
本标准规定了用化学腐蚀显示,并用金相显微镜检验硅外延层晶体完整性的方法。
本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度的检验,硅外延层厚度大于2μm,缺陷密度的测试
范围0~10000cm-2。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 30453 硅材料原生缺陷图谱
3 术语和定义
GB/T 14264和GB/T 30453界定的术语和定义适用于本文件。
4 方法提要
用铬酸、氢氟酸混合液或氢氟酸、硝酸、乙酸、硝酸银的混合溶液腐蚀试样,硅外延层晶体缺陷被优
先腐蚀。用显微镜观察试样腐蚀表面,可观察到缺陷特征并对缺陷计数。
5 干扰因素
5.1 腐蚀液放置时间过长,有挥发、沉淀物现象出现,影响腐蚀效果。
5.2 不同腐蚀液(有铬、无铬)的选择,可能会造成部分硅外延片的腐蚀效果不同。
5.3 腐蚀时间过短,如果缺陷特征不明显,或未出现蚀坑,则腐蚀时间应加长,同时监控硅外延层厚度。
5.4 腐蚀时间过长,腐蚀坑放大,同时表面粗糙,会造成显微镜下背景不清晰,缺陷特征也不明显。
5.5 一次性腐蚀2片以上外延片,易造成腐蚀温度升高,腐蚀速率快,反应物易吸附在试样表面影响缺
陷观察,应注意需一次性腐蚀外延片的腐蚀液比例。
5.6 腐蚀操作间温度高低、腐蚀溶液配比量等均会影响腐蚀温度、腐蚀速率,从而影响对腐蚀效果的
观察。
5.7 检测硅外延层厚度不大于2μm的层错或位错缺陷时,可以参考本标准,需要仔细操作,严格控制
腐蚀速率。
5.8 硅外延片清洗或淀积过程未能去除的污染,在优先腐蚀后可能会显现出来。
5.9 择优腐蚀时,如腐蚀液配液时搅拌不充分,可能出现析出物......
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