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[PDF] GB/T 16596-2019 - 自动发货. 英文版

标准搜索结果: 'GB/T 16596-2019'
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GB/T 16596-2019 90 GB/T 16596-2019 9秒内发货PDF 确定晶片坐标系规范
基本信息
标准编号 GB/T 16596-2019 (GB/T16596-2019)
中文名称 确定晶片坐标系规范
英文名称 Specification for establishing a wafer coordinate system
行业 国家标准 (推荐)
中标分类 H80
国际标准分类 29.045
字数估计 6,698
发布日期 2019-03-25
实施日期 2020-02-01
发布机构 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会

GB/T 16596-2019: 确定晶片坐标系规范 GB/T 16596-2019 英文名称: Specification for establishing a wafer coordinate system 1 范围 本标准规定了使用直角坐标和极坐标建立晶片正面坐标系、背面坐标系和三维坐标系的程序。 本标准适用于有图形和无图形的晶片坐标系的建立。该坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。 GB/T 16595 晶片通用网格规范 GB/T 34479 硅片字母数字标志规范 YS/T 986 晶片正面系列字母数字标志规范 SEMIE5 半导体设备通信标准2报文内容(SECS-Ⅱ)的规范 SEMIM1 硅单晶抛光片规范 3 晶片坐标系的建立原则 3.1 总则 本标准中的晶片坐标系利用晶片中心点作为直角坐标系(X-Y)或极坐标系(r-θ)的原点,可确定晶 片上任意点的坐标。对于无图形晶片,可直接使用本晶片坐标系,也可与矩形阵列或极坐标重叠阵列一起使用。本晶片坐标系也可用于确定另一坐标系的原点或其他基准点的位置,而这另一坐标系则常表示或记录了晶片上的局部区域、芯片或图形阵列的位置特征。 3.2 晶片正面坐标系 将晶片正表面向上放置,确定晶片中心点位置。建立右手直角坐标系。主定位基准位于Y 轴负方 向。根据应用选择直角坐标系或极坐标系(参考X 轴正向)。 3.3 晶片背面坐标系 围绕主定位基准的平分线(Y 轴)转动晶片,直至晶片背表面朝上。除了X 轴的方向与正面坐标系 相反,背面坐标系的其他内容与正面坐标系相同。 3.4 三维坐标系 由于Z 轴的零点需要根据应用来确定,本标准仅定义出Z 轴方向和各种可能的零点位置。 4 晶片坐标系的建立步骤 4.1 晶片正面坐标系 4.1.1 将晶片正表面向上放置。 4.1.2 找出晶片表面的中心点。假定忽略了参考面和边缘不规则区域的晶片外边缘是晶片的最小圆,该圆的圆心即为晶片中心点。 4.1.3 右手直角坐标系按下列步骤确定: a) 以晶片中心点为坐标原点; b) 坐标系的Y 轴在晶片正表面的直径上,该直径平分主定位基准(参考面或切口); c) 坐标系的X 轴在晶片正表面的直径上,且与主定位基准的平分线(Y 轴)垂直。 4.1.4 以坐标系原点为参照,主定位基准在Y 轴负方向,见图1。 4.1.5 如果使用极坐标系,X 轴正方向的θ坐标是0°,主定位基准平分线向上延伸的θ坐标是90°,X 轴负方向的θ坐标是180°,主定位基准平分线的向下延伸的θ坐标是270°。r和θ的方向见图1。 4.2 晶片背面坐标系 4.2.1 转动晶片,使晶片背表面向上。 4.2.2 主定位基准位于Y 轴负方向,X 轴正方向向左。这样,晶片背表面点的x-y(r-θ)坐标与直接 通过晶片正表面点的坐标完全相同。 4.3 三维坐标系 4.3.1 将晶片正表面向上。 4.3.2 Z 轴穿过晶片表面中心点且与晶片表面垂直,晶片的正表面位于Z 轴正方向,见图2。 4.3.3 不同应用情况下,Z 轴零点的规定不同,例如: a) 测量晶片的翘曲度,Z 轴零点可能在晶片的三维几何中心; b) 测量正表面的平整度,Z 轴零点通常随基准面而定,基准面的选择按照特定的平整度参数 确定; c) 测量厚度或厚度变化,Z 轴零点可能在晶片背表面中心点。 5 晶片坐标系的应用 5.1 本晶片坐标系用于确定和记录晶片上的缺陷、颗粒等测试结果的准确位置。 5.2 光刻的掩膜校准规则可与本晶片坐标系不一致。 5.3 硅片的副参考面位置由主参考面沿顺时针方向旋转而确定,其与晶片坐标系的极角坐标规则相反。 5.4 在SEMIM1中,用边缘轮廓模板建立的边缘参考坐标系用于边缘的参照,其与本晶片坐标系不 同。边缘轮廓模板和边缘轮廓参数使用不同的坐标系,具体如下: a) 边缘轮廓模板用X 轴的径向方向(从晶片边缘向内)和Y 轴的垂直方向(从晶片表面向晶片中 位面)定义模板; b) 边缘轮廓参数用q轴的径向方向(从晶片边缘向内)和Z 轴的垂直方向(从晶片中位面向晶片 表面)定义边缘轮廓的横截面。 5.5 在SEMIE5中,晶片的标准位置类似于其在晶片坐标系的位置,即主定位基准向下,它的平分线 在Y 轴负方向上,而晶片的旋转位置是从该标准位置向顺时针方向旋转来定义,这与晶片坐标系的极角坐标规则相反。在SEMIE5中,不旋转坐标系的轴,晶片相对于轴旋转。而在晶片坐标系中,坐标轴由晶片本身定位,不受晶片实际空间位置的限制。 5.6 在GB/T 34479和YS/T 986中,对于直径100mm、125mm和150mm带参考面的晶片,它的字 符字段的位置是参照参考面而不是参照晶片中心点来规定,字符字段的位置相对于晶片中心点是变化的,字符字段顶角处位置的坐标(在晶片坐标系中)可以因晶片而不同;而直径150mm、200mm 和300mm 带切口的晶片字符字段位置是参照晶片中心点来定位。 5.7 在某些情况下,无图形的晶片表面不易区分正面和背面。 5.8 SEMIE5在“流12-晶片图像”中,描述了一个坐标系是如何报告待传输的位置数据。另外,坐标 系的原点既可以是在生成晶片图像时由设备指定,也可以是位于阵列中的五个位置之一(即左上角、左下角、右上角、右下角或中心)。该“流”保证晶片图像坐标系与实际晶片相对应的基准点......