| 标准编号 | GB/T 19199-2015 (GB/T19199-2015) | | 中文名称 | 半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法 | | 英文名称 | Test methods for carbon acceptor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by absorption spectroscopy | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H17 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 6,673 | | 发布日期 | 2015-12-10 | | 实施日期 | 2016-07-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 19199-2003 | | 引用标准 | GB/T 14264 | | 标准依据 | 国家标准公告2015年第38号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了半绝缘砷化稼单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。本标准适用于电阻率大于10^6Ωcm的非掺杂和碳渗杂半绝缘砷化稼单晶中碳浓度的F-定。测量范围:室温下从1.0X10^15atoms/cm^3到代位碳原子的最大溶解度, 77K时检测下限为4.0X10^14atoms/cm^3。 | GB/T 19199-2015
Test methods for carbon acceptor concentration in semi-insulating gallium arsenide single crystals by infrared absorption spectroscopy
ICS 77.040
H17
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 19199-2003
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的
红外吸收测试方法
2015-12-10发布
2016-07-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 19199-2003《半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法》。
本标准与GB/T 19199-2003相比,主要有以下变化:
---增加了“规范性引用文件”“术语和定义”“干扰因素”和“测试环境”4章;
---扩展了半绝缘砷化镓单晶电阻率范围,将电阻率大于107Ω·cm修改为大于106Ω·cm;
---将范围由“非掺杂半绝缘砷化镓单晶”修改为“非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶”;
---去除了0.4mm~2mm厚度测试样品的解理制样方法;
---室温差示法测量时,将“仪器分辨率为0.5cm-1或1cm-1”,修改为“仪器分辨率1cm-1”。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:信息产业专用材料质量监督检验中心、天津市环欧半导体材料技术有限公司、中
国电子材料行业协会。
本标准起草人:何秀坤、李静、张雪囡。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 19199-2003。
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的
红外吸收测试方法
1 范围
本标准规定了半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法。
本标准适用于电阻率大于106Ω·cm的非掺杂和碳掺杂半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的测定。测量
范围:室 温 下 从 1.0×1015 atoms/cm3 到 代 位 碳 原 子 的 最 大 溶 解 度,77 K 时 检 测 下 限 为
4.0×1014atoms/cm3。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 方法提要
碳为半绝缘砷化镓中主要浅受主杂质,其局域模振动谱带(室温谱带峰位为580cm-1,77K谱带峰
位为582cm-1)吸收系数与代位碳浓度具有对应关系,由测得的吸收系数根据经验公式即可计算出碳
浓度。
5 干扰因素
5.1 杂散光到达检测器,将导致碳浓度测试结果出现偏差。
5.2 测试样品的测试面积应大于光阑孔径,否则可能导致错误的测试结果。
5.3 室温测试时,砷化镓中碳带半高宽可接受的数值应小于2cm-1。在光谱计算时,较大的半高宽将
导致测试误差,半高宽的......
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