| 标准编号 | GB/T 26068-2018 (GB/T26068-2018) | | 中文名称 | 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法 | | 英文名称 | Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots -- Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 30,325 | | 发布日期 | 2018-12-28 | | 实施日期 | 2019-11-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 26068-2010 | | 标准依据 | 国家标准公告2018年第17号 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 26068-2018
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots--Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method
ICS 77.040
H21
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 26068-2010
硅片和硅锭载流子复合寿命的测试
非接触微波反射光电导衰减法
2018-12-28发布
2019-11-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
目次
前言 Ⅲ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 方法原理 2
5 干扰因素 2
6 仪器设备 4
7 试剂 6
8 样品 6
9 测试步骤 7
10 精密度 9
11 试验报告 9
附录A(资料性附录) 注入水平的修正 10
附录B(资料性附录) 注入水平的相关探讨 11
附录C(资料性附录) 载流子复合寿命与温度的关系 14
附录D(资料性附录) 少数载流子复合寿命 17
附录E(资料性附录) 测试体复合寿命、少数载流子寿命和铁含量的进一步说明 19
附录F(资料性附录) SEMIMF1535-1015中的测试方法目的和精密度 23
参考文献 24
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 26068-2010《硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法》。
本标准与GB/T 26068-2010相比,除编辑性修改外,主要技术变化如下:
---将标准名称《硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法》改为《硅片和硅锭
载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法》;
---增加了使用微波反射光电导衰减法测试单晶硅锭和铸造多晶硅片、硅锭载流子复合寿命的内
容(见第1章、9.2);
---将范围中测试样品的室温电阻率下限由“0.05Ω·cm~1Ω·cm”改为“0.05Ω·cm~10Ω·
cm”,载流子复合寿命的测试范围由“0.25μs到 >1ms”改为“ >0.1μs”,删除了2010年版的
1.3(见第1章,2010年版的1.2、1.3);
---规范性引用文件中增加了GB/T 1551,删除了GB/T 1552、SEMIMF1388、SEMIMF1530,删
除了GB/T 1553-2009、YS/T 679-2008中的年代号,增加了GB/T 11446.1的年代号2013
(见第2章,2010年版的第2章);
---修改了术语注入水平、复合寿命、表面复合速率、体复合寿命和1/e寿命的定义(见第3章,
2010年版的第3章);
---将2010年版1/e寿命定义的部分内容调整到干扰因素5.16,1/e寿命定义的注调整为干扰因
素5.13(见5.10、5.17,2010年版的3.6);
---增加了“载流子的扩散长度小于硅片厚度的0.1倍时,可以考虑不处理样品表面,直接检测”,
表面处理方法增加了“表面持续电晕充电”(见5.1);
---增加了推荐的测试温度以及湿度、小信号条件、载流子陷阱或耗尽区、测试点距边缘距离对测
试结果的影响(见5.5、5.6、5.9、5.18、5.20);
---将2010年版的7.1部分调整到5.19(见5.19,2010年版的7.1);
---增加了“薄膜、薄层、薄硅片或者其他材料的波长段的使用需经相关部门或组织测试认定”(见
6.2);
---增加了“如果硅片厚度小于150μm,宜使用非金属硅片支架托”(见6.5);
---修改水的要求为“满足GB/T 11446.1-2013中EW-Ⅲ级或更优级别要求(见7.1,2010年版的
7.2);
---明确了碘、无水乙醇、氢氟酸、硝酸的纯度级别(见7.2、7.3、7.4、7.5);
---删除了关于取样的内容(见2010年版的8.1);
---样品制备增加了“需要通过机械研磨和化学机械抛光或只通过化学抛光去除样品表面的残留
损伤后”(见8.2);
---明确了硅片氧化处理的具体操作方式[见8.2a),2010年版8.4.1];
---样品制备中增加了“硅片表面持续电晕充电”的表面处理方法[见8.2c)];
---删除了关于钝化之前用氢氟酸腐蚀掉样品表面氧化物的腐蚀时间的内容(见2010年版的
8.4.2.1);
---硅片测试步骤中增加了“如果需要,记录并使用9.1.1中正、背面的状态”和“使用合适的波长,
记录所使用的激光波长和脉冲光斑大小”(见9.1.3,9.1.5);
---根据试验情况修订了精密度(见第10章,2010年版第11章);
---增加了资料性附录E,并将2010年版8.3部分调整为附录E的E.3(见附录E,2010年版的8.3)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:有研半导体材料有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、
浙江省硅材料质量检验中心、广州市昆德科技有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、天津市环
欧半导体材料技术有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司。
本标准主要起草人:曹孜、孙燕、黄黎、赵而敬、徐红骞、高英、石宇、楼春兰、王昕、张雪囡、林清香、
刘卓、肖宗杰。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 26068-2010。
硅片和硅锭载流子复合寿命的测试
非接触微波反射光电导衰减法
1 范围
本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试
方法。
本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或p型硅片(当硅片厚度大于1mm时,通常称为硅块)
载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下,本标准也可用于测试切割或经过研
磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常,被测样品的室温电阻率下限在0.05Ω·cm~10Ω·cm之
间,由检测系统灵敏度的极限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1μs,可测的最短寿命值取决
于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率,最长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化
程度。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定 光电导衰减法
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 11446.1-2013 电子级水
GB/T 13389 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 14264 半导体材......
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