GB/T 26070-2010 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| GB/T 26070-2010 | 329 | GB/T 26070-2010 | [PDF]天数 <=3 | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 26070-2010 (GB/T26070-2010) |
| 中文名称 | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 |
| 英文名称 | Characterization of subsurface damage in polished compound semiconductor wafers by reflectance difference spectroscopy method |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H17 |
| 国际标准分类 | 77.040.99 |
| 字数估计 | 14,115 |
| 发布日期 | 1/10/2011 |
| 实施日期 | 10/1/2011 |
| 标准依据 | 国家标准批准发布公告2011年第1号(总第166号) |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。 本标准适用于GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测量。 |
GB/T 26070-2010
Characterization of subsurface damage in poloshed compound semiconductor wafers by reflectance difference spectoracopy method
ICS 77.040.99
H17
中华人民共和国国家标准
化合物半导体抛光晶片亚表面
损伤的反射差分谱测试方法
2011-01-10发布
2011-10-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)归口。
本标准由中国科学院半导体研究所负责起草。
本标准主要起草人:陈涌海、赵有文、提刘旺、王元立。
化合物半导体抛光晶片亚表面
损伤的反射差分谱测试方法
1 范围
1.1 本标准规定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的测试方法。
1.2 本标准适用于 GaAs、InP(GaP、GaSb可参照进行)等化合物半导体单晶抛光片亚表面损伤的
测量。
2 定义
2.1 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
2.1.1
亚表面损伤 subsurfacedamage
半导体晶体经切、磨、抛等工艺加工后,在距离抛光片表面亚微米左右范围内,晶体的部分完整性会
受到破坏,存在一个很薄(厚度通常为几十到上百纳米)的损伤层,其中存在大量的位错、晶格畸变等缺
陷。这个损伤层称为亚表面损伤层。
2.1.2
弹光效应 photoelasticeffect
当介质中存在弹性应力或应变时,介质的介电系数或折射率会发生改变。介电系数或折射率的改
变与施加的应变和应力密切相关。各向异性的应力或应变会导致介电函数或折射率出现各向异性,导
致晶体材料出现光学各向异性(双折射,二向色性)。
2.1.3
光学各向异性 opticalanisotropy
当材料的光学性质随光的传播方向和偏振状态而发生变化时,就称这种材料具有光学各向异性。
2.1.4
振动电矢量总是在一个固定平面内的光称为线偏振光。
2.1.5
测量近垂直入射条件下,两束正交偏振入射光反射系数的相对差异随波长的变化,就是反射差
分谱。
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