GB/T 29507-2013 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| GB/T 29507-2013 | 329 | GB/T 29507-2013 | [PDF]天数 <=3 | 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 29507-2013 (GB/T29507-2013) |
| 中文名称 | 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 |
| 英文名称 | Test method for measuring flatness, thickness and total thickness variation on silicon wafers -- Automated non-contact scanning |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H80 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 14,168 |
| 引用标准 | GB/T 14264 |
| 标准依据 | 国家标准公告2013年第6号 |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了直径不小于50mm, 厚度不小于100μm的切割、研磨、腐蚀、抛光、外延或其他表面状态的硅片平整度、厚度及总厚度变化的测评。本标准为非破坏性、无接触的自动扫描测试方法, 适用于洁净、干燥硅片的平整和厚度测试, 且不受硅片的厚度变化、表面状态和硅片形状的影响。 |
GB/T 29507-2013
Test method for measuring flatness, thickness and total thickness vsriation on silicon wafers.Automated non-contact scanning
ICS 29.045
H80
中华人民共和国国家标准
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试
自动非接触扫描法
2013-05-09发布
2014-02-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)提出并归口。
本标准起草单位:上海合晶硅材料有限公司、有研半导体材料股份有限公司。
本标准主要起草人:徐新华、王珍、孙燕、曹孜。
硅片平整度、厚度及总厚度变化测试
自动非接触扫描法
1 范围
本标准规定了直径不小于50mm,厚度不小于100μm的切割、研磨、腐蚀、抛光、外延或其他表面
状态的硅片平整度、厚度及总厚度变化的测试。
本标准为非破坏性、无接触的自动扫描测试方法,适用于洁净、干燥硅片的平整度和厚度测试,且不
受硅片的厚度变化、表面状态和硅片形状的影响。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注明日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
3 术语和定义
3.1 GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
3.2 硅片平整度参数的缩写及定义见表1。
表1 硅片平整度参数的缩写及定义
缩写
测试
方法
基准面
基准面
基准面构成 区域
测试参数
GB IR
idealrange)
总的 背表面 理想背表面
质量
合格区
TIR
GF3R
3pointsrange)
总的 正表面 三点构成的基准面 ......