| 标准编号 | GB/T 30653-2014 (GB/T30653-2014) | | 中文名称 | Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 | | 英文名称 | Test method for crystal quality of Ⅲ-nitride epitaxial layers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H21 | | 国际标准分类 | 77.040.20 | | 字数估计 | 8,860 | | 发布日期 | 12/31/2014 | | 实施日期 | 9/1/2015 | | 标准依据 | 国家标准公告2014年第33号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法。本标准适用于在氧化物衬底(Al2O3、ZnO等)或半导体衬底(GaN, Si、GaAs、SiC等)上外延生长的氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可参考本标准。 | GB/T 30653-2014
Test method for crystal quality of Ⅲ-nitride epitaxial layers
ICS 77.040.20
H21
中华人民共和国国家标准
Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
2014-12-31发布
2015-09-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布
机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院半导体研究所。
本标准主要起草人:孙宝娟、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽。
Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法
1 范围
本标准规定了利用高分辨X射线衍射仪测试Ⅲ族氮化物外延片结晶质量的方法。
本标准适用于在氧化物衬底(Al2O3、ZnO等)或半导体衬底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生长的
氮化物(Ga、In、Al)N单层或多层异质外延片结晶质量的测试。其他异质外延片结晶质量的测试也可
参考本标准。
2 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
2.1
对称衍射 symmetricdiffraction
入射束和反射束相对于样品晶面法线处于对称位置,入射角与反射角相等时发生的衍射。
2.2
若衍射晶面与样品表面有个夹角χ,入射束和反射束相对于样品晶面法线处于非对称位置,入射角
与反射角不相等时发生的衍射。
2.3
斜对称衍射 skewdiffraction
入射束和反射束相对于样品表面法线处于对称位置,而衍射晶面相对于样品表面有个倾斜角χ,此
时发生的衍射为斜对称衍射。
2.4
螺型位错 screwdislocation
一个晶体的某一部分相对于其余部分发生滑移,原子平面沿着一根轴线盘旋上升,每绕轴线一周,
原子面上升一个晶面间距。在中央轴线处即为一螺型位错。
2.5
刃型位错 edgedislocation
晶体在切应力的作用下,一部分相对于另一部分沿一定的晶面(滑移面)和晶向(滑移方向)产生位
移,从而形成多余半原子面,也就形成了刃型位错。
2.6
摇摆曲线 rockingcurve
把探测器固定在样品(hkl)晶面的2θB 位置,探测器前不加狭缝,试样在衍......
|