| 标准编号 | GB/T 30854-2014 (GB/T30854-2014) | | 中文名称 | LED发光用氮化镓基外延片 | | 英文名称 | Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 26,291 | | 发布日期 | 7/24/2014 | | 实施日期 | 4/1/2015 | | 引用标准 | GB/T 191; GB/T 2828.1; GB/T 4326; GB/T 6618; GB/T 6619; GB/T 6620; GB/T 13387; GB/T 14140; GB/T 14142; GB/T 14264; GB/T 14844; SJ/T 11399 | | 标准依据 | 国家标准公告2014年第19号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片(以下简称外延片)的要求、检验方法和规则以及标志、包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片。 | GB/T 30854-2014
Gallium nitride based epitaxial layer for LED lighting
ICS 29.045
H83
中华人民共和国国家标准
LED发光用氮化镓基外延片
2014-07-24发布
2015-04-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国科学院半导体研究所。
本标准主要起草人:魏学成、赵丽霞、王军喜、曾一平、李晋闽、提刘旺。
LED发光用氮化镓基外延片
1 范围
本标准规定了LED发光用氮化镓基外延片(以下简称外延片)的要求、检验方法和规则以及标志、
包装、运输、储存、质量证明书与订货单(或合同)内容。
本标准适用于LED发光用氮化镓基外延片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 191 包装储运图示标志
GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划
GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 6618 硅片厚度和总厚度变化测试方法
GB/T 6619 硅片弯曲度测试方法
GB/T 6620 硅片翘曲度非接触式测试方法
GB/T 13387 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法
GB/T 14140 硅片直径测量方法
GB/T 14142 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法
SJ/T 11399 半导体二极管芯片测试方法
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 要求
4.1 分类
外延片包括LED全结构外延片和按导电类型分为n型和p型两种类型的单层氮化镓外延片(外延
厚度超过100μm通常称为氮化镓单晶)。
4.......
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