| 标准编号 | GB/T 30866-2014 (GB/T30866-2014) | | 中文名称 | 碳化硅单晶片直径测试方法 | | 英文名称 | Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 5,578 | | 发布日期 | 7/24/2014 | | 实施日期 | 2/1/2015 | | 标准依据 | 国家标准公告2014年第19号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。 | GB/T 30866-2014
Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers
ICS 29.045
H83
中华人民共和国国家标准
碳化硅单晶片直径测试方法
2014-07-24发布
2015-02-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:丁丽、周智慧、蔺娴、郝建民、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。
碳化硅单晶片直径测试方法
1 范围
本标准规定了用千分尺测量碳化硅单晶片直径的方法。
本标准适用于碳化硅单晶片直径的测量。
2 方法提要
避开碳化硅单晶片主副参考面,选取三个测量位置(如图1所示),沿直径方向用外径千分尺测量碳
化硅单晶片的三条直径,计算直径平均值和直径偏差。
图1 直径测量位置示意图
3 仪器设备
分度值为0.02mm的外径千分尺或精度相当的其他仪器。
4 试样准备
碳化硅单晶片应清洁、干燥,边缘应光滑、平整。
5 测试环境
5.1 温度:18℃~28℃。
5.2 相对湿度应不大于75%。
6 测试程序
6.1 校正外径千分尺零点。
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