| 标准编号 | GB/T 30867-2014 (GB/T30867-2014) | | 中文名称 | 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 | | 英文名称 | Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H83 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 7,721 | | 发布日期 | 7/24/2014 | | 实施日期 | 2/1/2015 | | 引用标准 | GB/T 14264; GB/T 25915.1-2010 | | 标准依据 | 国家标准公告2014年第19号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法, 包括接触式和非接触式两种方式。本标准适用于直径不小于30 mm、厚度为0.13 mm～1 mm的碳化硅单晶片。 | GB/T 30867-2014
Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers
ICS 29.045
H83
中华人民共和国国家标准
碳化硅单晶片厚度和总厚度
变化测试方法
2014-07-24发布
2015-02-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)及材料分技术委员会(SAC/TC
203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所、中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:丁丽、周智慧、郝建民、蔺娴、何秀坤、刘筠、冯亚彬、裴会川。
碳化硅单晶片厚度和总厚度
变化测试方法
1 范围
本标准规定了碳化硅单晶片厚度及总厚度变化(TTV)的测试方法,包括接触式和非接触式两种
方式。
本标准适用于直径不小于30mm、厚度为0.13mm~1mm的碳化硅单晶片。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 25915.1-2010 洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级
3 术语和定义
GB/T 14264界定的术语和定义适用于本文件。
4 方法提要
4.1 接触式测量
接触式测量采用五点法。在碳化硅单晶片中心点和距碳化硅单晶片边缘D/10的圆周上4个对称
点位置测量碳化硅单晶片厚度,如图1所示。单晶片中心点厚度为标称厚度,5个厚度测量值中的最大
值和最小值的差值为碳化硅单晶片的总厚度变化。
说明:图中D 为碳化硅单晶片直径。
图1 接触式测量的测量点位置
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