| 标准编号 | GB/T 31351-2014 (GB/T31351-2014) | | 中文名称 | 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 | | 英文名称 | Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H26 | | 国际标准分类 | 77.040.99 | | 字数估计 | 7,760 | | 发布日期 | 12/31/2014 | | 实施日期 | 9/1/2015 | | 标准依据 | 国家标准公告2014年第33号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的徽管密度的无损检测方法。本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。 | GB/T 31351-2014
Nondestructive test method for micropipe density of polished monocrystalline silicon carbide wafers
ICS 77.040.99
H26
中华人民共和国国家标准
碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
2014-12-31发布
2015-09-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)和全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所。
本标准主要起草人:陈小龙、郑红军、张玮、郭钰、刘振洲。
碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法
1 范围
本标准规定了4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。
本标准适用于4H晶型和6H晶型碳化硅单晶抛光片经单面抛光或双面抛光后、微管的径向尺寸
在一微米至几十微米范围内的微管密度的测量。
2 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
2.1
微管 micropipe
4H或6H碳化硅单晶抛光片中沿c轴方向延伸且径向尺寸在一微米至几十微米范围的中空管道。
2.2
微管密度 micropipedensity
单位面积内微管个数,记为 MPD,单位为个每平方厘米(个/cm2)。
3 方法原理
利用入射光线在微管周围处的折射系数差异确定微管,从而计算出相应的微管密度。测试系统的
光源首先通过偏振光片P1(起偏器),自然光改变成为具有一定振动方向的光;如果样品的晶格排列均
匀,即折射率相同,则经过样品的光线仍旧是同一振动方向的光;这样,经过与P1成90°的偏振光片P2
(检偏器)后,探测器得到的光强信号将是均匀的。如果样品某处存在微管,碳化硅微管内部中空,且周
围存在一定的应力场,其相应的折射系数不一致,则经过样品的光线在微管附近振动方向与整体不再平
行,结果探测器得到的光强信号就会反应出相应的差别。示意图如图1。
图1 微管无损检测原理图
当样品表面平行于(0001)晶面时,微管显示为蝴蝶状亮点;当样品表面偏离(0001)晶面时,微管显
示为彗星状,这种光强信号的差别表示微管的存在。用正交偏光显微......
|