| 标准编号 | GB/T 32495-2016 (GB/T32495-2016) | | 中文名称 | 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法 | | 英文名称 | Surface chemical analysis -- Secondary-ion mass spectrometry -- Method for depth profiling of arsenic in silicon | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | G04 | | 国际标准分类 | 71.040.40 | | 字数估计 | 15,185 | | 发布日期 | 2016-02-24 | | 实施日期 | 2017-01-01 | | 标准依据 | 国家标准公告2016年第5号 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 32495-2016
Surface chemical analysis - Secondary-ion mass spectrometry - Method for depth profiling of arsenic in silicon
ICS 71.040.40
G04
中华人民共和国国家标准
表面化学分析 二次离子质谱
硅中砷的深度剖析方法
(ISO 12406:2010,IDT)
2016-02-24发布
2017-01-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
目次
前言 Ⅰ
引言 Ⅱ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 符号和缩略语 1
5 原理 2
6 参考物质 2
6.1 用于校准相对灵敏度因子的参考物质 2
6.2 用于校准深度的参考物质 2
7 仪器 2
7.1 二次离子质谱仪 2
7.2 触针式轮廓仪 2
7.3 光学干涉仪 2
8 样品 2
9 步骤 2
9.1 二次离子质谱仪的调整 2
9.2 优化二次离子质谱仪的设定 3
9.3 进样 3
9.4 被测离子 3
9.5 样品检测 4
9.6 校准 4
10 结果表述 5
11 测试报告 5
附录A(资料性附录) 硅中砷深度剖析巡回测试报告 6
附录B(资料性附录) NISTSRM2134深度剖析步骤 9
参考文献 10
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准使用翻译法等同采用ISO 12406:2010《表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析
方法》。
与本标准中规范性引用的国际文件有一致性对应关系的我国文件如下:
---GB/T 22461-2008 表面化学分析 词汇(ISO 18115:2001,IDT)
本标准由全国微束标准化技术委员会(SAC/TC38)提出并归口。
本标准负责起草单位:中国电子科技集团公司第四十六研究所 。
本标准主要起草人:马农农、陈潇、何友琴、王东雪。
引 言
本标准为使用二次离子质谱(secondary-ionmassspectrometry,SIMS)对硅中砷的定量深度剖析
而制定。
对于定量深度剖析,浓度和深度定标都是必不可少的。国家标准GB/T 20176中规定了硅中硼浓
度的测定方法。国际标准ISO 17560[1]中规定了硅中硼深度剖析方法。国家标准GB/T 25186中规定
了离子注入参考物质的相对灵敏度因子(RSF)的测定方法。国家标准GB/T 22461中建立了表面化学
分析领域常规术语和谱学术语的词汇表。本标准中硅中砷定量深度剖析方法将会引用这些国家标准。
本标准适用于采用二次离子质谱法对单晶硅、多晶硅、非晶硅中砷元素进行深度剖析,及用触针式
表面轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
表面化学分析 二次离子质谱
硅中砷的深度剖析方法
1 范围
本标准详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法,以及用
触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016atoms/cm3~
2.5×1021atoms/cm3 的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品,坑深在50nm及以上。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 20176-2006 表面化学分析 二次离子质谱 用均匀掺杂物测定硅中硼的原子浓度
(ISO 14237:2010,IDT)
GB/T 25186-2010 表面化学分析 二次离子质谱 由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子
(ISO 18114:2003,IDT)
3 术语和定义
ISO 18115-1界定的术语和定义适用于本文件。
4 符号和缩略语
Ci 深度剖析第i个周期时,砷原子浓度,用单位体积原子个数(atoms/cm3)表示
d 深度剖析中求相对灵敏度因子用的深度,用厘米(cm)表示
di 在测试第i个周期时的深度,用厘米(cm)表示
dt 坑深,用厘米(cm)表示
Ii 测试第i个周期时,砷离子强度,用每秒计数(counts/s)表示
IiSi 测试第i个周期时,基体硅离子强度,用每秒计数(counts/s)表示
I......
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