GB/T 32651-2016 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| GB/T 32651-2016 | 239 | GB/T 32651-2016 | [PDF]天数 <=3 | 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 32651-2016 (GB/T32651-2016) |
| 中文名称 | 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法 |
| 英文名称 | Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H82 |
| 国际标准分类 | 29.045 |
| 字数估计 | 12,130 |
| 发布日期 | 2016-04-25 |
| 实施日期 | 2016-11-01 |
| 引用标准 | GB/T 4842; GB/T 6682-2008 |
| 标准依据 | 国家标准公告2016年第7号 |
| 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 |
| 范围 | 本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定, 其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(Al)、砷(As)、 钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、钴(Co), 镓(Ga)等元素的测定范围为5 μg/kg～50 mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类和浓度掺杂剂的硅材料, 例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。 |
GB/T 32651-2016
Test method for measuring trace elements in photovoltaic-grade silicon by high-mass resolution glow discharge mass spectrometry
ICS 29.045
H82
中华人民共和国国家标准
采用高质量分辨率辉光放电
质谱法测量太阳能级硅中
痕量元素的测试方法
2016-04-25发布
2016-11-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)归口。
本标准主要起草单位:国家太阳能光伏产品质量监督检验中心(无锡市产品质量监督检验中心)、江
苏中能硅业科技发展有限公司、国家硅材料深加工产品质量监督检验中心、江西赛维LDK太阳能高科
技有限公司、中国电子技术标准化研究院。
本标准主要起草人:何莉、吴建国、王琴、周滢、刘晓霞、鲁文锋、陈进、封丽娟、李建德、黄雪雯、
孙绍武、冯亚彬、裴会川。
采用高质量分辨率辉光放电
质谱法测量太阳能级硅中
痕量元素的测试方法
1 范围
本标准规定了采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的方法。
本标准适用于太阳能级硅材料中痕量元素的测定,其中铁(Fe)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、
硼(B)、磷(P)、钙(Ca)、钠(Na)、镁(Mg)、铝(Al)、砷(As)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、锰(Mn)、钴(Co)、镓
(Ga)等元素的测定范围为5μg/kg~50mg/kg。本方法适用于分析多种物理形态的以及添加任何种类
和浓度掺杂剂的硅材料,例如多晶硅粉末、颗粒、块、锭、片和单晶硅棒、块、片等。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 4842 氩
GB/T 6682-2008 分析实验室用水规格和试验方法
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
高质量分辨率 highmassresolution
大于3500的质量分辨率。
3.2
特性满足生产晶体硅太阳能电池要求的硅固体材料。
3.3
标准样品 referencematerial
具有一种或多种足够均匀且稳定规定特性的材料......