| 标准编号 | GB/T 35316-2017 (GB/T35316-2017) | | 中文名称 | 蓝宝石晶体缺陷图谱 | | 英文名称 | Collection of metallographs on defects of sapphire crystal | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H80 | | 国际标准分类 | 29.045 | | 字数估计 | 22,283 | | 发布日期 | 2017-12-29 | | 实施日期 | 2018-07-01 | | 发布机构 | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 35316-2017
Collection of metallographs on defects of sapphire crystal
ICS 29.045
H80
中华人民共和国国家标准
蓝宝石晶体缺陷图谱
2017-12-29发布
2018-07-01实施
中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局
中国国家标准化管理委员会发布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会 (SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分技术委员会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准主要起草单位.中国科学院上海光学精密机械研究所、上海大恒光学精密机械有限公司、中
国科学院新疆理化技术研究所、新疆紫晶光电技术有限公司、有色金属技术经济研究院、江苏浩瀚蓝宝
石科技有限公司、苏州恒嘉晶体材料有限公司、江苏吉星新材料有限公司、东莞市中镓半导体科技有限
公司、天津三安光电有限公司、江西东海蓝玉光电科技有限公司、丹东新东方晶体仪器有限公司。
本标准主要起草人.徐民、杭寅、潘世烈、张方方、赵兴俭、韦建、贺东江、吴成荣、蔡金荣、徐永亮、
丁晓民、王笃祥、李国平、赵松彬、杨素心。
蓝宝石晶体缺陷图谱
1 范围
本标准规定了蓝宝石晶体缺陷的术语和定义、形貌特征及产生原因。
本标准适用于蓝宝石单晶材料制备中各种缺陷的检验和分析。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 8756 锗晶体缺陷图谱
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 30453 硅材料原生缺陷图谱
3 术语和定义
GB/T 8756、GB/T 14264和GB/T 30453界定的术语和定义适用于本文件。
4 蓝宝石晶体缺陷
4.1 晶锭缺陷
4.1.1 开裂(crack)
4.1.1.1 形貌特征
生长的蓝宝石晶体有时外形完整,但晶体内部或边壁处可观测到数道裂纹,严重时可见晶体碎裂成
块。其形貌特征示例见图1~图4。
4.1.1.2 产生原因
晶体生长或退火时,热场不合理、炉内温度变化过快造成晶体内部热应力过大而引起开裂;晶体粘
连坩埚形成外部挤压应力,导致晶体边壁处出现微裂纹;无籽晶生长或原料......
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