| 标准编号 | GB/T 36477-2018 (GB/T36477-2018) | | 中文名称 | 半导体集成电路 快闪存储器测试方法 | | 英文名称 | Semiconductor integrated circuit -- Measuring methods for flash memory | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | L56 | | 国际标准分类 | 31.200 | | 字数估计 | 18,143 | | 发布日期 | 2018-06-07 | | 实施日期 | 2019-01-01 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 36477-2018
Semiconductor integrated circuit--Measuring methods for flash memory
ICS 31.200
L56
中华人民共和国国家标准
半导体集成电路
快闪存储器测试方法
2018-06-07发布
2019-01-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
目次
前言 Ⅰ
1 范围 1
2 规范性引用文件 1
3 术语和定义 1
4 一般要求 1
4.1 设备和条件 1
4.2 电参数测试向量 1
5 详细要求 2
5.1 输出高电平电压和输出低电平电压 2
5.2 输入高电平电压和输入低电平电压 3
5.3 输入高电平电流和输入低电平电流 5
5.4 输出高电平电流和输出低电平电流 5
5.5 输出高电阻状态电流 6
5.6 电源电流和漏电流 6
5.7 传输时间 7
5.8 建立时间和保持时间 9
5.9 延迟时间 11
5.10 有效时间(适用时) 11
5.11 存储器的特定时间 11
5.12 存储单元0变1功能 11
5.13 存储单元1变0功能 12
5.14 特殊数据图形功能 13
附录A(资料性附录) 快闪存储器测试流程 14
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。
本标准由中华人民共和国工业和信息化部提出。
本标准由全国半导体器件标准化技术委员会(SAC/TC78)归口。
本标准起草单位:中国电子技术标准化研究院、中芯国际集成电路制造(上海)有限公司、上海复旦
微电子集团股份有限公司、深圳市中兴微电子技术有限公司、北京兆易创新科技股份有限公司、复旦大
学、中兴通讯股份有限公司。
本标准主要起草人:菅端端、陈大为、钟明琛、罗晓羽、冯光涛、倪昊、赵子鉴、董艺、田万廷、高硕、
闵昊、刘刚。
半导体集成电路
快闪存储器测试方法
1 范围
本标准规定了半导体集成电路快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能测试的基本方法。
本标准适用于半导体集成电路领域中快闪存储器电参数、时间参数和存储单元功能的测试。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 17574-1998 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路
3 术语和定义
下列术语和定义适用于本文件。
3.1
快闪存储器 flashmemory
一种非易失存储器,具有电可擦除可编程的特性,主要特点是可以对大区块进行快速的读写。
3.2
最坏情况条件 worstcasecondition
把电源电压、输入信号、负载在标称范围内的最不利条件同时加到被测快闪存储器上构成的。
4 一般要求
4.1 设备和条件
快闪存储器的电特性测试不限定具体方式和设备,宜在自动测试系统上进行,具体包括但不限于测
试机、探针台、高低温冲击设备和示波器。
在电参数测试时,应制定测试向量,使快闪存储器处于所需的工作状态后才能开始测试,关于测试
向量的一般性要求应符合4.2的规定,测试流程参见附录A。
除另有规定外,快闪存储器测试应在环境气压为86kPa~106kPa、相对湿度为35%~80%的范围
内进行。测试温度应符合GB/T 17574-1998 第Ⅳ篇 第1节 2.1.2的规定。
测试不同参数时的最坏情况可能是不一样的,如果并非全部测试条件都取......
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