GB/T 37049-2018 相关标准英文版PDF
| 标准号码 | 价格美元 | 第2步(购买) | 交付天数 | 标准名称 |
| GB/T 37049-2018 | 199 | GB/T 37049-2018 | [PDF]天数 <=3 | 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 |
| 基本信息 | |
|---|---|
| 标准编号 | GB/T 37049-2018 (GB/T37049-2018) |
| 中文名称 | 电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 |
| 英文名称 | Test method for the content of metal impurity in electronic grade polysilicon -- Inductively coupled-plasma mass spectrometry method |
| 行业 | 国家标准 (推荐) |
| 中标分类 | H17 |
| 国际标准分类 | 77.040.30 |
| 字数估计 | 10,148 |
| 发布日期 | 2018-12-28 |
| 实施日期 | 2019-04-01 |
| 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 |
GB/T 37049-2018
Test method for the content of metal impurity in electronic grade polysilicon--Inductively coupled--plasma mass spectrometry method
ICS 77.040.30
H17
中华人民共和国国家标准
电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定
电感耦合等离子体质谱法
2018-12-28发布
2019-04-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:江苏中能硅业科技发展有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分
公司、有研半导体材料有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、洛阳中硅高科技有
限公司。
本标准主要起草人:鲁文锋、刘晓霞、秦榕、孙燕、赵而敬、王桃霞、赵玉、王忠慧、柳德发、张园园、
银波、邱艳梅、刘强。
电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定
电感耦合等离子体质谱法
1 范围
本标准规定了电感耦合等离子体质谱仪(ICP-MS)测定电子级多晶硅中痕量基体金属杂质含量的
方法。
本标准适用于 GB/T 12963中在基体金属杂质小于5ng/g范围内铁、铬、镍、铜、锌、钠含量的
测定。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 12963 电子级多晶硅
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 25915.1-2010 洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级
JJF1159 四级杆电感耦合等离子体质谱仪校准规范
ing)
3 术语和定义
GB/T 14264及JJF1159界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
分辨率 resolution
以某元素质量峰高10%处的峰宽表示。
3.2
检出限 detectionlimit
质谱仪在一定的置信度内所能测定的某元素的最低极限质量浓度。
3.3
空白试剂(纯水)信号平均值的三倍标准偏差所对应的浓度值。
3.4
方法检出限(定量下限) mothoddetectionlimit
给......