| 标准编号 | GB/T 4059-2018 (GB/T4059-2018) | | 中文名称 | 硅多晶气氛区熔基磷检验方法 | | 英文名称 | Test method for phosphorus content in polycrystalline silicon by zone-melting method under controlled atmosphere | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H17 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 8,873 | | 发布日期 | 2018-12-28 | | 实施日期 | 2019-11-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 4059-2007 | | 引用标准 | GB/T 1550; GB/T 1551; GB/T 4060; GB/T 4842; GB/T 8979; GB/T 11446.1-2013; GB/T 14264; GB/T 24574; GB/T 24581; GB/T 25915.1-2010 | | 标准依据 | 国家标准公告2018年第17号 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | | 范围 | 本标准规定了多晶硅中基磷含量的检验方法。本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基磷含量(原子数)的测定，测定范围为0.01×10 13 cm~500×10 13 cm-3。 | GB/T 4059-2018
Test method for phosphorus content in polycrystalline silicon by zone--melting method under controlled atmosphere
ICS 77.040
H17
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 4059-2007
硅多晶气氛区熔基磷检验方法
2018-12-28发布
2019-11-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 4059-2007《硅多晶气氛区熔基磷检验方法》,与GB/T 4059-2007相比,除编
辑性修改外,主要技术变化如下:
---基磷含量的测定范围由“0.002×10-9~100×10-9”修改为“0.01×1013cm-3~500×1013cm-3”
(见第1章,2007年版的第1章);
---调整了规范性引用文件,删除了GB/T 1553、GB/T 1554、GB/T 1555、GB/T 13389,增加了
GB/T 1550、GB/T 4060、GB/T 4842、GB/T 8979、GB/T 11446.1-2013、GB/T 24574、
GB/T 24581、GB/T 25915.1-2010(见第2章,2007年版的第2章);
---修改了样芯的定义,删除了“空心钻头”(见3.3,2007年版的3.3);
---修改了方法A和方法B的方法原理表述(见4.1、4.2,2007年版的4.1、4.2);
---干扰因素中酸洗和区熔操作的环境修改为“不低于GB/T 25915.1-2010规定的6级洁净环
境”[见5.3,2007年版的第5章c)];
---干扰因素中增加了样品处理过程、区熔速度、硅芯等3项对测试结果有影响的因素(见5.4、
5.6、5.7);
---删除了干扰因素中关于区熔后硅单晶棒、测试环境的要求[见2007年版的第5章f)、第5章
g)];
---修改了试剂和材料中去离子水、氩气的要求(见6.3、6.4,2007年版的6.3、6.5);
---试剂和材料增加了氮气的要求(见6.5);
---修改了试剂和材料中籽晶的要求,由“n型电阻率不低于500Ω·cm的籽晶”修改为“籽晶应为
无位错的N型< 111 >高阻硅单晶,且施主杂质含量(原子数)小于2.5×1012cm-3,碳含量(原子
数)小于5×1015cm-3,晶向偏离度小于5°”(见6.6,2007年版的6.1);
---对仪器设备中的“取芯设备”增加了要求 [见7.1,2007年版的第7章a)];
---“真空内热式区熔炉”改为“内热式区熔炉”[见7.5,2007年版的第7章d)];
---仪器设备中增加了超声清洗设备、氮气与氩气纯化装置、导电类型测试仪、两探针电阻率测试
仪、低温红外光谱仪或光致发光光谱仪(见7.3、7.6、7.7、7.8、7.9);
---删除了定性滤纸、真空吸尘器、洁净室专用的手套等实验室常用材料[见2007年版的第7章
e)、第7章f)、第7章g)];
---修改了取样要求(见8.2、8.4,2007年版的8.2、8.4);
---删除了“选择电阻率大于500Ω·cm,碳含量小于0.2×10-6,无位错,晶向偏离度小于5°的
n型< 111 >高阻硅单晶切割制备成的籽晶”(见2007年版的10.1.1);
---将“籽晶必须在干燥后36h内使用”修改为“籽晶应予以密封进行洁净保护”(见10.1,2007年
版的10.1.2);
---增加了“清洗后的样芯宜用高纯氮气吹干”(见10.2.2);
---删除了“清洁取芯钻”“用不低于10MΩ·cm的去离子水清洁酸洗台”(见2007年版的10.3.1、
10.3.2);
---“在清洁、真空抽吸后,预热样芯”修改为“在清洁、装料、真空抽吸、充氩气后,预热样芯”(见
10.3,2007年版的10.3.3);
---修改了试验步骤中的晶棒生长内容(见10.4,2007年版的10.4);
---增加了“导电类型的测试按GB/T 1550的规定进行”[见10.5.2a)];
---修改了试验步骤中的晶棒评价内容[见10.5.2b),2007年版的10.5.2.4];
---删除了晶向、晶锭结晶完整性、少数载流子寿命的测试(见2007年版的10.5.2.1、10.5.2.2、
10.5.2.3);
---删除了允许差,增加了精密度(见第12章,2007年版的第12章)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:江苏中能硅业科技发展有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分
公司、亚洲硅业(青海)有限公司、内蒙古神舟硅业有限责任公司、新特能源股份有限公司、宜昌南玻硅材
料有限公司、洛阳中硅高科技有限公司、新疆大全新能源股份有限公司、鄂尔多斯多晶硅业有限公司、内
蒙古盾安光伏科技有限公司、新疆协鑫新能源材料科技有限公司、乐山市产品质量监督检验所、山东大
海新能源发展有限公司。
本标准起草人:胡伟、耿全荣、胡自强、鲁文锋、柳德发、薛心禄、蔡延国、尹东林、宗凤云、邱艳梅、
刘国霞、高明、楚东旭、刘翠、王瑞、姚利忠、梁洪、唐珊珊、王佳。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 4059-1983、GB/T 4059-2007。
硅多晶气氛区熔基磷检验方法
1 范围
本标准规定了多晶硅中基磷含量的检验方法。
本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基磷含量(原子数)的测定,测定范围为0.01×1013cm-3~
500×1013cm-3。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验方法
GB/T 4842 氩
GB/T 8979 纯氮、高纯氮和超纯氮
GB/T 11446.1-2013 电子级水
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 24574 硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中Ⅲ、Ⅴ族杂质含量的测试方法
GB/T 25915.1-2010 洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级
3 术语和定义
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