| 标准编号 | GB/T 4060-2018 (GB/T4060-2018) | | 中文名称 | 硅多晶真空区熔基硼检验方法 | | 英文名称 | Test method for boron content in polycrystalline silicon by vacuum zone-melting method | | 行业 | 国家标准 (推荐) | | 中标分类 | H17 | | 国际标准分类 | 77.040 | | 字数估计 | 10,117 | | 发布日期 | 2018-09-17 | | 实施日期 | 2019-06-01 | | 旧标准 (被替代) | GB/T 4060-2007 | | 发布机构 | 国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会 | GB/T 4060-2018
Test method for boron content in polycrystalline silicon by vacuum zone-melting method
ICS 77.040
H17
中华人民共和国国家标准
代替GB/T 4060-2007
硅多晶真空区熔基硼检验方法
2018-09-17发布
2019-06-01实施
国 家 市 场 监 督 管 理 总 局
中国国家标准化管理委员会 发 布
前言
本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。
本标准代替GB/T 4060-2007《硅多晶真空区熔基硼检验方法》,与GB/T 4060-2007相比,除编
辑性修改外主要技术变化如下:
---增加了规范性引用文件GB/T 620-2011、GB/T 626-2006、GB/T 11446.1-2013、GB/T 25915.1-
2010(见第2章);
---修改了方法提要,将“以1.0mm/min的速度区熔提纯14次成晶后”改为“以不高于1.0mm/min
的速度多次区熔提纯后”(见第4章,2007年版的第4章);
---在干扰因素中增加了“酸洗用的器皿、酸液和去离子水纯度、腐蚀速度、腐蚀温度、样品暴露时
间都可能带来沾污,应加以控制”(见5.4);
---删除了干扰因素中关于区熔后单晶的要求、测试环境(见2007年版的5.6、5.7);
---在试剂和材料中 “p型电阻率不低于3000Ω·cm的籽晶”修改为“籽晶应为无位错的P型
< 111 >高阻硅单晶,且受主杂质含量(原子数)小于2.5×1012cm-3、碳含量(原子数)小于
5×1015cm-3、晶向偏离度小于5°”(见6.4,2007年版的6.1);
---在仪器设备中的“取芯设备”修改为“取芯设备,可钻出直径约为15mm~20mm且长度不小
于100mm的多晶硅样芯”[见7.1,2007年版的7a)];
---增加了两探针或四探针电阻率测试仪(见7.6);
---增加了测试环境(见第8章);
---在取样中 “平行于硅芯钻取长180mm左右,直径为15mm~20mm左右的样芯作样品”修改
为“平行于硅芯钻取长度不小于100mm,直径为15mm~20mm的样芯作样品”(见9.2,2007年
版的8.2);
---样芯距多晶硅棒底部的距离由“不低于50mm”改为“不小于250mm”(见9.4,2007年版的8.4);
---删除了“选择电阻率大于3000Ω·cm,碳含量小于0.2×10-6,无位错,晶向偏离度小于5°的
p型< 111 >高阻硅单晶切割制备成的籽晶”(见2007年版的10.1.1);
---在区熔拉晶步骤增加了“第1次与第2次提纯完成后,每次保留一个熔区长度的尾部,第3次
开始固定区熔长度”(见11.4)。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会(SAC/TC203)与全国半导体设备和材料标准
化技术委员会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。
本标准起草单位:江苏中能硅业科技发展有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、洛阳中硅高科技有
限公司、峨嵋半导体材料研究所。
本标准主要起草人:胡伟、刘晓霞、耿全荣、鲁文锋、王桃霞、胡自强、宗冰、肖建忠、万烨、杨旭。
本标准所代替标准的历次版本发布情况为:
---GB/T 4060-1983、GB/T 4060-2007。
硅多晶真空区熔基硼检验方法
1 范围
本标准规定了多晶硅中基硼含量的测试方法。
本标准适用于在硅芯上沉积生长的多晶硅棒中基硼含量的测定。基硼含量(原子数)测定范围为
0.01×1013cm-3~5×1015cm-3。
2 规范性引用文件
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 620-2011 化学试剂 氢氟酸
GB/T 626-2006 化学试剂 硝酸
GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 11446.1-2013 电子级水
GB/T 13389 掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 25915.1-2010 洁净室及相关受控环境 第1部分:空气洁净度等级
3 术语和定义
GB/T 14264界定的以及下列术语和定义适用于本文件。
3.1
硅芯 siliconcore
小直径硅棒,用作多晶硅沉积的......
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